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デュアルNチャンネルPMGD280UN MOSFETアレイ 20V 870mA 400mW 表面実装 6-TSSOP

デュアルNチャンネルPMGD280UN MOSFETアレイ 20V 870mA 400mW 表面実装 6-TSSOP

ソース:このサイト時間:2023-02-20ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社供給 デュアルNチャンネルMOSFET「PMGD280UN」アレイ 20V 870mA 400mW 表面実装 6-TSSOP

深圳市明佳達電子有限会社供給 デュアルNチャンネルMOSFET「PMGD280UN」アレイ 20V 870mA 400mW 表面実装 6-TSSOP


モデル番号:PMGD280UN

製品タイプ: MOSFET

技術:Si

マウントスタイル: SMD/SMT

パッケージ/ケース: TSSOP-6

トランジスタの極性: Nチャンネル

チャンネル数:2チャンネル

Vds-ドレイン・ソース降伏電圧:20 V

Id-ドレイン連続電流:870 mA

Rds On-ドレイン・ソース間オン抵抗: 340 mOhms

Vgs - ゲートソース電圧: - 8 V, + 8 V

Vgs th - ゲートソースしきい値電圧:450 mV

Qg - ゲート電荷量: 0.89 nC

最低動作温度: - 55 C

最大動作温度: + 150 C

Pd - 許容損失: 400 mW

チャネルモード:エンハンスメント

工場出荷時のパッケージ数量: 3000


応用例

ドライバ回路 

携帯用電化製品のスイッチング

PMGD280UN.jpg

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