【TIメイン】ハイサイドおよびローサイド出力用ハーフブリッジGaNドライバ LMG1025QDEETQ1

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【TIメイン】ハイサイドおよびローサイド出力用ハーフブリッジGaNドライバ LMG1025QDEETQ1

ソース:このサイト時間:2023-02-18ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社は、狭パルスアプリケーション向けの5V UVLO付き7A/5Aシングルチャネル車載用ローサイドゲートドライバ、TI Low Side Driver LMG1025QDEETQ1の販売を開始いたします。

モデル：LMG1025QDEETQ1

年式：最新

パッケージ：WSON-6

説明

LMG1025/LMG1025-Q1ハーフブリッジGaNドライバは、同期降圧、昇圧またはハーフブリッジ構成でハイサイドおよびローサイドのエンハンスド窒化ガリウム（GaN）FETを駆動するように設計されています。デバイスには100Vブートストラップダイオードを内蔵し、ハイサイドおよびローサイド出力用に個別の入力を備えているので、柔軟な制御を行うことが可能です。ハイサイドのバイアス電圧はブートストラップ技術により生成され、内部で5Vにクランプされています。 LMG1205/LMG1025-Q1はTTLロジック互換入力を持ち、VDD電圧に関係なく最大14Vの入力電圧に耐えることができます。 LMG1205/LMG1205-Q1は別々のゲート出力を持ち、オンとオフを別々に柔軟に調節することが可能です。強度を個別に調整できます。

また、LMG1205/LMG1025-Q1は強力な電流フラッド機能を備えており、ゲートを低く保つことで、スイッチング時の誤作動を防止することができます。 LMG1025-Q1デバイスは、車載アプリケーション向けのAEC-Q100規格に準拠しています。

特徴

独立したハイサイドおよびローサイドのTTLロジック入力

1.2Aピーク電流、5Aフィル電流

ハイサイド・フローティング・バイアス電圧レール、最大動作電圧：100VDC

内部ブートストラップ電源電圧クランプ

オン/オフ強度を調整可能な独立した出力

0.6Ωのプルダウン抵抗、2.1Ωのプルアップ抵抗

高速伝搬時間 (35ns標準)

優れた伝搬遅延マッチング (1.5ns（代表値）)

パワーレール不足電圧ロックアウト

低消費電力