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深圳市明佳達電子有限会社
モデル

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製品分類

集積回路（IC）

イーサネット パワー・アンプ・モジュール クロック/タイミング,発振器 時計/タイミング - ナノタイマー デジタルクロスポイントスイッチ 超音波トランシーバー クロック/タイミング - ディレイ・ライン カードリーダーコントローラー ロジック - ゲートとインバータ トランスミッタ 絶縁コンパレータ 高速コンパレータ インターフェイス - マルチレートタイマー USBコントローラー CCDシグナルプロセッサ 測光フロントエンド アイソレーション・アンプ デジタル・ディスプレイ・コントローラー デジタルコントローラー オーディオプロセッサー 太陽光発電製品 アッテネーター ドライブアンプ GaNオンSiCパワーアンプ

IoT/IGBT モジュール

2Gモジュール 4Gモジュール 5Gモジュール IoTモジュール 新エネルギーモジュール 車両グレードのモジュール スマートモジュール メモリモジュール 衛星通信モジュール GNSSモジュール LPWAモジュール IoTチップ 無線通信モジュール

フィルター

アクティブフィルタ RFフィルター ハイパスフィルター 5GHz Wi-Fi バンドパスフィルター 6GHz Wi-Fiバンドパスフィルター

ワイヤレス接続

Wi-Fi 6 ブルートゥースIC Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Wi-Fi 4 WiFiモジュール 低消費電力のBluetooth Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 ワイヤレスNICチップ Bluetoothモジュール WiFiワイヤレスモジュール BluetoothオーディオSoc

回路保護

サージ抑製IC ESDサプレッサ/TVSダイオード 放電管 - GDT / ガスプラズマアレスタ TVS - 混合技術

ディスクリート半導体

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル ラジオ週波数トランジスタ パワーMOSFETモジュール 炭化ケイ素（SIC）FETモジュール 炭化ケイ素（SIC）FET PチャネルMOSFET トランジスタ - RF FET、MOSFET MOSFETモジュール サイリスター ダイオード・アレイ・モジュール MOSFETトランジスター NチャンネルMOSFET IGBTトランジスタ ダイオードと整流器 ショットキーダイオード、整流器 シングルツェナーダイオード バイポーラトランジスタアレイ パワードライバモジュール ダイオード - 整流器 - シングル トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ トランジスタ - IGBT - モジュール トランジスタ - UGBT、MOSFET - シングル

電源管理

窒化ガリウム（GaN）IC リニアレギュレータLDO AC-DCコントローラとレギュレータ DC-DC電源製品 電圧基準 バッテリ管理 PoweroverEthernet（PoE）コントローラ

コネクタ

丸型コネクター 自動車用コネクター カードエッジコネクター 基板対基板、メザニンコネクター FFC、FPC（フラットフレックス）コネクター バックプレーンコネクター 角型コネクター 同軸コネクタ（RF） 長方形コネクタ - アレイ、エッジタイプ、メザニン（基板間）

センサー

速度センサー 湿度センサー ホール効菓電流センサ 超音波センサ 光センサー - 環境光、赤外線、紫外線センサー 光センサー、フォトダイオード 湿度、水分センサー 光学検出器とセンサー-赤外線検出器 基板実装温度センサー 光センサー - 環境光 ガスセンサー 位置センサー - 角度、直線位置測定 産業用ミリ波レーダー・センサ 車載用ミリ波レーダーセンサー イメージセンサーです レーダーセンサーです モーションセンサージャイロスコープです 超音波受信機、送信機(距離測定用のものです。) 光センサー - 反射型 - ロジック出力 センサーモジュールです あつりょくセンサ 電流センサー 静電容量式タッチセンサー ボード-マシンインターフェース ホール効果/磁気センサー

メモリー

NORフラッシュメモリー 不揮発性メモリ ランダムアクセスメモリRAM 静的ランダムアクセスメモリSRAM 同期ダイナミックランダムアクセスメモリSDRAM ソリッド・ステート・ドライブ - SSD 標準シリアルEEPROM 車載グレードのシリアルEEPROM eMMC 擬似スタティックランダムアクセスメモリ（PSRAM） 消去可能なプログラマブルROM NANDフラッシュ ユニバーサル フラッシュ ストレージ - UFS ダイナミックランダムアクセスメモリDRAM メモリ-モジュール

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Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3チップはTSMCとSamsungの共同生産へ

Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3チップはTSMCとSamsungの共同生産へ

ソース:このサイト時間:2023-01-09ブラウズ数:

1月4日、台湾の工商時報によると、TSMCの3nmプロセス技術が量産に入った。 半導体専門家によると、TSMCの3nm歩留まりは最大で80%に達するといい、海外メディアは情報源を引用し、Qualcommの次世代チップセットSnapdragon 8 Gen 3はSamsungとTSMCから購入し、TSMCがほとん…

1月4日、台湾の工商時報によると、TSMCの3nmプロセス技術が量産に入った。 半導体専門家によると、TSMCの3nm歩留まりは最大で80%に達するといい、海外メディアは情報源を引用し、Qualcommの次世代チップセットSnapdragon 8 Gen 3はSamsungとTSMCから購入し、TSMCがほとんどを占めると明らかにしており、おそらくこの2つの歩留まり差から来るものであろう。

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QualcommのSnapdragon 8 Gen 2はTSMCから独占的に供給されているが、昨年11月にメディアが引用した情報筋によると、当時TSMCの3nm量産への疑問から、QualcommはSnapdragon 8 Gen 3の受注をSamsungに委ねるつもりで、3nm生産のスケジュールが遅延していたという。


TSMCの3nmは、現在、順調に量産に入っていると理解されています。 TSMCの劉徳仁会長は、先週の3nm量産・拡大式典で、3nmプロセスの歩留まりが同時期の5nm量産に匹敵するようになったことを明らかにした。 半導体の専門家は、3nmの歩留まりを保守的に60%から70%程度と見ていますが、他の業界アナリストは75%から80%程度と見ています。


Samsungの3nmプロセスについては、以前、4nmプロセスの量産がボトルネックになっているだけでなく、3nmのGAAプロセスの歩留まりが10～20%程度しかないというニュースが台湾メディアで流れたと指摘した。

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