INFINEON製品供給：IGBTトランジスタ、MOSFETトランジスタ、GaNトランジスタ

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INFINEON製品供給：IGBTトランジスタ、MOSFETトランジスタ、GaNトランジスタ

ソース:このサイト時間:2024-12-04ブラウズ数:

INFINEON製品供給：IGBTトランジスタ、MOSFETトランジスタ、GaNトランジスタ深圳市明佳达電子有限会社は、電子部品の販売を専門としており、豊富な品揃え、正確なサプライチェーン管理、総合的な技術サポートを提供しております。弊社はお客様に効率的、便利で高品質な電…

INFINEON製品供給：IGBTトランジスタ、MOSFETトランジスタ、GaNトランジスタ

深圳市明佳达電子有限会社は、電子部品の販売を専門としており、豊富な品揃え、正確なサプライチェーン管理、総合的な技術サポートを提供しております。弊社はお客様に効率的、便利で高品質な電子部品購入体験を提供することをお約束します。

IGBTトランジスタ - 画期的なイノベーションとアプリケーション重視で市場をリード

最高水準の性能と品質を追求するインフィニオンは、他の追随を許さない包括的なディスクリートIGBTポートフォリオを提供しています。新製品は、最高の価値を達成するためにアプリケーションに特化して開発されています。

600Vから1600Vまで、インフィニオンは幅広いIGBT電圧クラスを提供し、各アプリケーションにおけるさまざまな電圧要件を満たします。当社のディスクリートIGBTパッケージ・ポートフォリオには、D²PAK、DPAK、SOT-223などのSMD（表面実装デバイス）パッケージと、TO220、TO220FP、TO247、TO247-4、TO247PLUS、TO247PLUS-4、TO247アドバンスド・アイソレーション・パッケージなどのスルーホールパッケージがあります。

ディスクリートIGBTソリューションは、アンチパラレル・ダイオードの有無にかかわらず、産業用、家電用、自動車用アプリケーションでの使用に最適です。

MOSFETトランジスタ - OptiMOS™、StrongIRFET™、およびCoolMOS™、低電圧、中電圧、および高電圧のパワーMOSFET。

NチャネルMOSFETは、電子を使用して電流チャネルを形成します。これにより、MOSFETが活性化されスイッチがオンになると、電子が電流中を迅速かつ容易に移動します。NチャンネルMOSFET特有の特性のため、同じRDS(on)値であればキャリアの移動度はPチャンネルの約2～3倍となり、PチャンネルチップはNチャンネルの2～3倍の大きさが必要となります。このような理由から、大電流アプリケーションにはMOSFETトランジスタのNチャネルを使用することが望ましいことが多い。

GaNトランジスタ - 民生、産業、および車載アプリケーションで最高の効率と電力密度を実現するディスクリートおよび集積ソリューション

インフィニオンのGaNトランジスタは、最大700 Vの電圧範囲における電力変換に非常に効率的です。当社のGaNデバイスは、高速ターンオン/オフ速度、最小スイッチング損失、および多様なパッケージ・オプションを備えており、シンプルかつ迅速な市場投入が可能です。これらのデバイスは、業界標準を上回る広範な基準に適合しています。GaN技術は、システム・コストを最小限に抑え、使いやすさを向上させながら、システム全体の性能を大幅に高めます。

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