INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度SEMPER™ NORフラッシュメモリICS26HS512TGABHI003の製品概要S26HS512TGABHI003は、インフィニオンのSEMPER™ NORフラッシュメモリファミリのメンバーで、512Mビットの密度を誇ります。このデバイスは、400 MByte/sの帯域幅と1.8 Vの動…
INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度SEMPER™ NORフラッシュメモリIC
S26HS512TGABHI003の製品概要
S26HS512TGABHI003は、インフィニオンのSEMPER™ NORフラッシュメモリファミリのメンバーで、512Mビットの密度を誇ります。このデバイスは、400 MByte/sの帯域幅と1.8 Vの動作電圧のHYPERBUSインターフェースで動作し、200 MHz（DDR）の高速インターフェース周波数を特徴とし、堅牢なインフィニオンPG-BGA-24パッケージに収められています。
インフィニオンのSEMPER™フラッシュ製品ファミリーは、JEDEC JESD251 eXpanded SPI（xSPI）仕様と互換性のある高速CMOS、MIRRORBIT™ NORフラッシュ・デバイスです。SEMPER™フラッシュは、ASIL-B準拠とASIL-D対応を達成するため、ISO 26262規格に従って開発された機能安全向けに設計されています。
S26HS512TGABHI003のパラメトリック
集積度：512MBit
ファミリー：HS-T
インタフェース帯域幅：400 MByte/s
インターフェース周波数：200 MHz
インタフェース：ハイパーバス
リードボール仕上げ：Sn/Ag/Cu
動作温度：-40 °C - 85 °C
動作電圧：1.8 V 1.7 V 2 V
ピークリフロー温度：260 °C
S26HS512TGABHI003の特徴
各メモリ・アレイ・セルに2つのデータ・ビットを格納するインフィニオンの45nm MIRRORBIT™技術
セクター・アーキテクチャ・オプション
256または512バイトのページ・プログラミング・バッファ
1024バイト（32×32バイト）のOTPセキュアシリコン領域（SSR）
HYPERBUS™ インターフェース
HYPERBUS™ インターフェース搭載SEMPER™ Flash デバイスは、レガシーSPI (x1) またはHYPERBUS™ インターフェース (x8) でのデフォルトブートをサポートします。
オートブートにより、電源投入後すぐにメモリアレイにアクセス可能
CS#信号方式（JEDEC）および個別のRESET#ピンによるハードウェア・リセット
シリアル・フラッシュ・ディスカバブル・パラメータ（SFDP）により、デバイスの機能と特徴を記述
デバイス識別、メーカー識別、固有識別
時間:2025-05-10
![明佳達電子——[供給] AD5165BUJZ100 (ADI) ロジックレベルデジタルポテンショメータ](/upload/202505/10/202505101458520934.jpg)
時間:2025-05-10
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