深圳市明佳達電子有限会社 [供給、リサイクル] MMA043PP4 (Microchip) GaAs pHEMT MMIC 広帯域低雑音アンプ概要MMA043PP4はガリウムヒ素(GaAs)擬似同型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)低雑音広帯域アンプで、0.5GHz~12GHzで動作するリードレス4mm4mm表面実装パッケ…
深圳市明佳達電子有限会社 [供給、リサイクル] MMA043PP4 (Microchip) GaAs pHEMT MMIC 広帯域低雑音アンプ
概要
MMA043PP4はガリウムヒ素(GaAs)擬似同型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)低雑音広帯域アンプで、0.5GHz~12GHzで動作するリードレス4mm×4mm表面実装パッケージです。
MMA043PP4アンプは、16dBの利得、2.0dBの雑音指数、28dBmの出力IP3、17dBmの出力P1dBを提供しながら、5V電源からわずか55mAの電流しか消費しません。17dBmのP1dB出力により、LNAはバランス、I/Q、またはイメージ・リジェクト・ミキサーのLOドライバーとして機能します。RFポートは内部で50Ωに整合されている。
以下はMMA043PP4デバイスの主な特長です:
GaAs pHEMT LNAモノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)
低雑音指数: 1.5 dB(0.5 GHzから6 GHzまで
高利得:16 dB
広帯域性能 0.5 GHz~12 GHz
優れたP1dB出力:17 dBm
高いOIP3:28 dBm
50Ω整合入出力
コンパクトな24リード4mm×4mm×1.2mm QFNパッケージ
MMA043PP4デバイスは、以下のアプリケーション向けに設計されています:
テスト計測
広帯域通信
無線インフラ
広帯域マイクロ波無線
MMA043PP4 - アプリケーション回路図:
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