新しい150VTrenchFETGenVNチャネルパワーMOSFET---SiRS5700DPは、通信、工業と計算応用分野の効率とパワー密度を高めることを目指している。
Vishay Intertechnology, Inc.はPowerPAK so-8s (QFN 6x5)パッケージを採用した新しい150 V TrenchFET Gen V NチャネルパワーMOSFET---SiRS5700DPを発売しました。通信、産業、計算用途における効率と電力密度の向上を目指しています。
PowerPAK so-8パッケージを採用した前世代のデバイスと比較して、Vishay Siliconix SiRS5700DPの合計オン抵抗は68.3%減少し、オン抵抗とゲート電荷の積(パワー変換アプリケーションにおけるMOSFETの重要品質ファム(FOM)は15.40%減少しました。RthJCは62.5 %低減し、連続ドレイン電流は179 %増加しました。
先ごろの素子の業界を持つ先進導通抵抗の時(10 v 5.6 m)や導通抵抗とゲートチャージ・プロダクトfom (336 m* nc)、最大限引き下げ歪曲による出力読んだりできる。そのため、設計者は効率を高め、6 kWのAIサーバー電源システムなどの次世代電源の要求に応えることができます。また、PowerPAK so-8sパッケージは、0.45°C/W RthJCという超低電圧を実現し、最大144 Aの持続ドレイン電流を実現することで電力密度を高め、強力なSOA能力を実現しています。
SiRS5700DPは同期整流、DC/DC変換、ホットプラグ、or-ing機能に最適です。典型的なアプリケーションには、サーバー、エッジコンピューティング、スーパーコンピュータ、データストレージなどがあります。通信電源です;ソーラー・インバータです電気モーターや電動工具ですバッテリーマネジメントシステムですMOSFETはRoHS規格に準拠し、ハロゲンフリーで、100% RgとUISテストを経て、ipc-9701規格に準拠し、より信頼性の高い温度サイクルを実現します。デバイスの標準サイズは6 mm × 5 mmで,PowerPAK so-8パッケージと完全に互換性があります。
SiRS5700DPは現在サンプル出荷が可能で,量産に至っています。より多くの情報を参照してくださいhttps://www.vishay.com/です。
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