11月21日、SKハイニックスは世界最高の321層1Tb（テラビット、テラバイトとは異なる）TLC（トリプルレベルセル）4D NANDフラッシュメモリの量産開始を発表した。この321層製品は、前世代と比較して、データ転送速度と読み出し性能がそれぞれ12%と13%向上し、データ読み出…
11月21日、SKハイニックスは世界最高の321層1Tb（テラビット、テラバイトとは異なる）TLC（トリプルレベルセル）4D NANDフラッシュメモリの量産開始を発表した。
この321層製品は、前世代と比較して、データ転送速度と読み出し性能がそれぞれ12%と13%向上し、データ読み出しの電力効率が10%以上向上しているという。
SKハイニックスは、「現在の最高層である前世代の238層NAND型フラッシュメモリーを2023年6月から量産・供給しており、300層以上のNAND型フラッシュメモリーを初めて発売することで技術の限界に挑戦した」と述べた。 SK Hynixは来年上半期から321層の製品を顧客に提供することで市場の需要に応える計画である。」
報告書によると、SK Hynixは今回の製品開発で積層限界を克服するために高効率の「3-Plug」プロセス技術を採用した。
この技術では、スルーホール工程を3段階で行い、その後、最適化されたフォローアップ工程で3つのスルーホールを電気的に接続するという。 この過程で低変形材料が開発され、スルーホール間の自動アライメント補正技術が導入された。
さらに、SKハイニックスの技術チームは、前世代の238層NANDフラッシュメモリの開発プラットフォームを321層にも適用することで、プロセスのばらつきを最小化し、前世代に比べて生産性を59％向上させた。
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