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NチャンネルパワーMOSFETハーフブリッジゲートドライバ用電源IC L6388ED L6388ED013TR

NチャンネルパワーMOSFETハーフブリッジゲートドライバ用電源IC L6388ED L6388ED013TR

ソース:このサイト時間:2022-11-08ブラウズ数:

明佳達の電子工学の供給力 IC L6388ED L6388ED013TR のための N-channel 力 MOSFET の半分橋ゲートの運転者、新しくおよび元、在庫、競争価格、品質保証、私達に連絡するべき歓迎。

明佳達の電子工学の供給力 IC L6388ED L6388ED013TR のための N-channel 力 MOSFET の半分橋ゲートの運転者、新しくおよび元、在庫、競争価格、品質保証、私達に連絡するべき歓迎。


年:13+

モデル:L6388ED013TR

パッケージ:SOP

概要:L6388Eは、BCD™"オフライン "技術で製造された高電圧ゲートドライバで、パワーMOSFET/IGBTデバイスのハーフブリッジを駆動することが可能です。

L6388ED.jpg

製品仕様

ドライブ構成 ハーフブリッジ  

チャンネルタイプ スタンドアロン  

ドライバー数 2  

ゲート型IGBT、NチャンネルMOSFET  

電圧 - 供給電圧 17V (最大)  

ロジック電圧 - VIL, VIH 1.1V, 1.8V  

電流 - ピーク出力(プールイン、プルアウト) 400mA, 650mA  

入力タイプ 非反転  

ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 600 V  

立上り/立下り時間(代表値) 70ns, 40ns  

動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)  

マウントタイプ 表面実装タイプ  

パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)  

サプライヤー デバイスパッケージ 8-SOIC 

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