STマイクロエレクトロニクスは、PowerFLAT 5x6パッケージのNチャネルSTripFET F8パワーMOSFET - STL320N4LF8車載グレードのNチャネル40Vロジックレベル、0.55 mOhm(標準)、STripFET F8パワーMOSFETを発売します。製品概要このNチャネル・パワーMOSFETは、強化されたトレ…
STマイクロエレクトロニクスは、PowerFLAT 5x6パッケージのNチャネルSTripFET F8パワーMOSFET - STL320N4LF8車載グレードのNチャネル40Vロジックレベル、0.55 mOhm(標準)、STripFET F8パワーMOSFETを発売します。
製品概要
このNチャネル・パワーMOSFETは、強化されたトレンチ・ゲート構造を持つSTripFET F8技術を採用しています。
本製品はオン抵抗が極めて低いため、内部キャパシタンスとゲート電荷を低減し、より高速で効率的なスイッチングを実現します。
アプリケーション例
コンピュータおよび周辺機器
電源およびコンバーター
家庭用および業務用電化製品
ゲームおよびドローン
モーター制御
STL320N4LF8 Nチャンネル エンハンスト モード ロジック レベル 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 パワーMOSFET
メーカー:STマイクロエレクトロニクス
製品カテゴリ: MOSFET
ファミリ: STripFET F8
技術: Si
実装スタイル: SMD/SMT
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 40 V
Id-連続ドレイン電流: 360 A
Rds On - ドレイン-ソース間オン抵抗: 800 uOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート-ソース間スレッショルド電圧:2 V
Qg-ゲート電荷: 43 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 175 C
パラジウム-電力損失:188 W
チャネルモード:エンハンスド
ブロック図
ピンアウト
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