業界初のSiC MOSFETゲート保護用非対称過渡抑制ダイオード・ファミリー

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業界初のSiC MOSFETゲート保護用非対称過渡抑制ダイオード・ファミリー

ソース:このサイト時間:2024-10-28ブラウズ数:

は、炭化ケイ素（SiC）製 MOSFET ゲートを過電圧イベントから保護するために設計された、市場初の非対称過渡抑制ソリューションである面実装過渡抑制ダイオード SMFA 非対称シリーズを発表しました。

ニュースワイヤー - リテルヒューズ・コーポレーション（NASDAQ：LFUS）は本日、市場初の非対称過渡抑制ソリューションである表面実装型過渡抑制ダイオード SMFA Asymmetric シリーズを発表しました。同社は本日、炭化ケイ素（SiC）MOSFETゲートを過電圧から保護するために設計された市場初の非対称過渡抑制ソリューションである表面実装過渡抑制ダイオードSMFA非対称シリーズを発表した。従来のシリコンMOSFETやIGBTよりもスイッチング速度が速く、効率が高いため、SiC MOSFETの人気が高まっており、堅牢なゲート保護に対するニーズが高まっています。SMFA非対称シリーズは、回路の信頼性を大幅に向上させながら、設計を簡素化する革新的なシングルエレメント・ソリューションを提供します。

SMFA非対称シリーズは、SiC MOSFET特有のゲート保護要件に特化して設計された、市場で唯一の過渡抑制ダイオードです。複数のツェナーダイオードや過渡抑制ダイオードを必要とする従来のソリューションとは異なり、SMFAシリーズは単一の部品でゲート駆動回路のリンギングやオーバーシュートを効果的に防止するため、貴重なPCBスペースを節約し、回路設計の複雑さを軽減します。

SMFA非対称シリーズ面実装過渡抑制ダイオードは、以下の主な特長と機能を備えています：

非対称設計：SMFAシリーズは、SiC MOSFETの特定の正負ゲート電圧定格に合わせてカスタマイズされており、正確で信頼性の高い保護を実現します；

単一コンポーネント・ソリューション: 複数のツェナー・ダイオードと過渡抑制ダイオードを置き換え、部品点数を削減し、回路レイアウトを簡素化します；

スペース効率：SMFAシリーズは、複数の保護機能を1つのコンポーネントに統合することで、PCBスペースの使用を最小限に抑え、よりコンパクトで効率的な設計を可能にします；

互換性：SMFA 非対称シリーズは、リテルヒューズおよびその他の主要な SiC MOSFET と互換性があるため、幅広いアプリケーションに対応する汎用性の高いソリューションです。

「SMFA 非対称過渡抑制ダイオードは、複数のツェナーダイオードや過渡抑制ダイオードを簡単に置き換えることができる単一コンポーネントのソリューションで、貴重な SiC MOSFET をゲート故障から保護します。リテルヒューズの製品マーケティング担当ディレクター、ベン・ファンは次のように述べています。「このユニークなソリューションは、必要な部品数を減らしながら、貴重な PCB スペースを節約します。

SMFA 非対称シリーズは、SiC MOSFET を使用する以下のような要求の厳しいさまざまなアプリケーションに最適です：

AI/データセンター・サーバー電源：ハイパフォーマンス・コンピューティング環境における重要な電源の信頼性と効率の向上；

高効率電気自動車インフラ（EVI）電源システム：電気自動車充電ステーションおよび関連電源システムに堅牢なゲート保護を提供し、寿命と性能を確保する；

高信頼性半導体/産業機器電源：信頼性とアップタイムが重要な産業および半導体製造環境において、重要な電源を保護します。

可用性

SMFA非対称シリーズ過渡抑制ダイオードは、テープ＆リール・パッケージで3,000個から入手可能です。サンプルのご請求は、世界中のリテルヒューズ正規販売代理店を通じて承ります。

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