24GbGDDR7は、第5世代の10ナノメートル級DRAMプロセス技術を採用している。これにより、GDDR7は前世代と同じパッケージサイズを維持しながら、セル密度を50%向上させることができます。
SAMSUNGはこのほど、同社初の24Gb GDDR7 DRAM(第7世代グラフィカル・ダブル・データ伝送レート・メモリ)の開発に成功したと発表しました。GDDR7は非常に高速な容量と高速なレートを備えており、次世代アプリケーションの理想的な選択肢の一つとなっています。
24Gb GDDR7は、大容量と優れた性能により、データセンターや人工知能ワークステーションなど、高性能ストレージソリューションを必要とするさまざまな分野で広く使われるようになり、グラフィックスカードやゲーム機、自動運転といった従来の用途以外にも、グラフィックスDRAMの応用範囲をさらに広げることになるでしょう。
SAMSUNGメモリ製品企画チームのペ・ヨンチョル(Bae YongCheol)執行副社長は、次のように述べています。
昨年、SAMSUNG初の16Gb GDDR7を開発したのに続き、今回の研究開発により、SAMSUNGはグラフィックスDRAM市場における技術的優位性をさらに強固なものにしました。成長するai市場のニーズに応え、グラフィックスDRAM市場をリードする次世代製品を継続的に投入していきます。
24Gb GDDR7は、第5世代10ナノ級DRAMプロセス技術を採用しています。これによりGDDR7は,従来品と同じパッケージ・サイズを維持しながら,セル密度を50%向上させたとしている。
先進的なプロセスノードを採用したことに加え、GDDR7はパルス振幅変調(PAM3)信号技術を採用し、グラフィックスDRAMでは業界最先端の40Gbpsの速度を実現し、先代と比べて25%の高速化を実現しました。GDDR7は、利用環境にもよりますが、最大42.5Gbpsまで性能を向上させることができます。
また,従来のモバイル機器向け技術をグラフィックスDRAMに初めて適用することで,GDDR7のエネルギー効率を大幅に向上させました。「クロック制御管理」や「デュアル電圧(VDD)設計」を含む手法を採用することで、不要な電力消費を大幅に削減し、30%以上のエネルギー効率向上を実現しています。
高速運転時の優れた安定性を確保するため、24Gb GDDR7は電源ゲートを採用し、可能な限り電流漏れを低減しました。
サムスンは今年、主要GPU顧客と手を組んで、次世代aiコンピューティングシステムで24Gb GDDR7を検証し、来年初めに商用化する計画です。
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