SAMSUNG初のAI時代向けQLC第9世代V-NAND量産開始

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SAMSUNG初のAI時代向けQLC第9世代V-NAND量産開始

ソース:このサイト時間:2024-09-13ブラウズ数:

SAMSUNGは最近、最初の1テラビット(Tb) 4層セル(QLC)第9世代v-nand (v-nand)の量産を開始したと発表しました。SAMSUNGは今年4月、TLCである第9世代v-nandの量産を開始し、続いてQLCで第9世代v-nandの量産を開始し、大容量・高性能NANDフラッシュメモリ市場での地位をさら…

SAMSUNGは最近、最初の1テラビット(Tb) 4層セル(QLC)第9世代v-nand (v-nand)の量産を開始したと発表しました。

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SAMSUNGは今年4月、TLCである第9世代v-nandの量産を開始し、続いてQLCで第9世代v-nandの量産を開始し、大容量・高性能NANDフラッシュメモリ市場での地位をさらに固めました。

SAMSUNG社執行副社長兼フラッシュメモリ製品および技術責任者のSungHoi Hur氏は次のように述べています。

前回のTLC版の量産からわずか4ヶ月後、QLC第9世代v-nand製品の量産に成功したことで、ai時代のニーズに対応できる完全なラインナップのSSDソリューションを提供することができました。企業向けSSD市場はますます成長傾向にあり、aiアプリケーションへの需要はさらに高まっており、QLCとTLC第9世代v-nandを通じてSAMSUNGの市場地位を引き続き固めていきたいと考えている。

サムスン電子は、QLCの第9世代v-nandの適用範囲を、ブランド消費者向けから始め、モバイル汎用フラッシュメモリ(UFS)、パソコン、サーバーSSDまで拡大し、クラウドサービスプロバイダを含む顧客にサービスを提供する計画です。

SAMSUNG QLC第9世代v-nandは、いくつかの革新的な成果を総合的に活用し、多くの技術革新を成し遂げました。

・SAMSUNGが誇るチャネルホールエッチング技術により、デュアルスタックアーキテクチャで業界最高のセル層数を実現しています。TCLの第9世代v-nandで培ったノウハウを活用して、セル面積と周辺回路を最適化し、前世代のQLC v-nandよりビット密度を約86%向上させました。

•予め設定された金型(Designed Mold)技術は、制御メモリセルの字線(WL)の間隔を調整することができ、同じセル層内とセル層間のメモリセルの特性を一致させ、最適な効果を達成します。v-nandは層数が多いほどセル特性が重要になります。プリセット金型技術を採用したことで、データ保存性能が約20%向上し、信頼性が向上しました。

・予測プログラム(Predictive Program)技術は、記憶部の状態変化を予測して制御し、不要な操作を最小限に抑えます。この進歩により、SAMSUNG QLC第9世代v-nandの書き込み性能は2倍になり、データの入出力速度は60%向上しました。

・低消費電力設計(low-power Design)により、データ読み出しの消費電力を約30%、約50%削減しました。NANDメモリセルの駆動に必要な電圧を低減し、必要なビット線(BL)だけを検知できるようにすることで、消費電力を最小限に抑えることができます。

詳細については、news.samsung.comをご覧ください。

会社url: www.hkmjd.comです。

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