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トランジスタ IRF3808STRLPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

トランジスタ IRF3808STRLPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

ソース:時間:2022-10-17ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限公司供給のトランジスター IRF3808STRLPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK の新しく、原物は、興味があれば私達に連絡するために歓迎します!

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モデル: IRF3808STRLPBF

バッチ番号: 11+ 

パッケージ:TO-263 

 IRF3808STRLPBF.jpg

製品仕様

FETタイプ Nチャンネル

技術 MOSFET(金属酸化物)

電流 at 25°C - 連続ドレイン電流 (Id) 106A (Tc)

駆動電圧(max Rds On, min Rds On) 10V

異なるId, Vgsにおけるオン抵抗(最大) 7ミリオーム @ 82A, 10V

異なるIdにおけるVgs(th) (最大) 4V @ 250µA

Vgs (最大) ±20V

FET機能

許容損失(最大) 200W (Tc)

動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)

取付方式 表面取付方式

サプライヤー デバイスパッケージ D2PAK

パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak(リード2本+タブ)、TO-263AB

ドレイン・ソース電圧 (Vdss) 75 V

異なるVgsにおけるゲート電荷 (Qg) (最大) 220 nC @ 10 V

異なるVdsにおける入力容量(Ciss)(最大) 5310 pF @ 25 V


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