韓国ソウル、2024年8月29日——SKハイニックスは29日、世界で初めて第6世代10ナノ(1c)プロセスを採用した16Gb(ギガビット)DDR5 DRAMの開発に成功したと発表しました。これにより、同社は10ナノメートル台前半の超微細ストレージプロセス技術を世界に披露しました。SKハイ…
韓国ソウル、2024年8月29日——SKハイニックスは29日、世界で初めて第6世代10ナノ(1c)プロセスを採用した16Gb(ギガビット)DDR5 DRAMの開発に成功したと発表しました。これにより、同社は10ナノメートル台前半の超微細ストレージプロセス技術を世界に披露しました。
SKハイニックスは、「10ナノ級dラム技術が受け継がれ、微細工程が難しくなったが、業界最高の性能を認められた第5世代(1b)技術力を基に設計の完成度を高め、技術限界を先に突破した」と強調した。年内に1c DDR5 dラムの量産準備を終えて、来年から製品供給を開始し、半導体メモリー市場をリードしていきます」
1cプロセスは、1b DRAMプラットフォームを拡張する形で開発されました。SKハイニックスの技術陣は、これにより、プロセスの高度化に伴う試行錯誤を減らすことができるだけでなく、業界で最高性能DRAMとして認められているSKハイニックス1bプロセスの強みを、1cプロセスに最も効果的に移行できると考えています。
また、一部のEUV工程に新素材を開発して適用し、全体工程でもEUV適用工程に合わせて最適化することで、コスト競争力を確保しています。同時に、1cプロセスでも設計技術の革新を行い、前世代の1bプロセスと比べて生産性を30%以上向上させました。
今回の1c DDR5 DRAMは、主に高性能データセンターに使われる予定で、動作速度は8 gbps(1秒当たり8ギガビット)で、前世代に比べて11%高速化しています。また、エネルギー効率も9%以上向上しています。AI時代が到来し、データセンターの消費電力が増え続けている中、クラウドサービスを運営するグローバル顧客が、SKハイニックスの1c DRAMをデータセンターに採用すれば、電気料金を最大30%まで削減できると見込んでいます。
SKハイニックスの金ジョンファンdラム開発担当副社長は、「最高の性能とコスト競争力を兼ね備えた1cプロセス技術を次世代HBM、LPDDR6、GDDR7など最先端dラムの主力製品群に適用し、顧客に差別化された価値を提供しています。今後もdラム市場のリーダーシップを守り、顧客から最も信頼されるAI用メモリソリューション企業としての地位を固めていきます」
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