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Infineon-F3L8MR12W2M1HPB113レベル1200VCoolSiC™MOSFETEasyモジュール

Infineon-F3L8MR12W2M1HPB113レベル1200VCoolSiC™MOSFETEasyモジュール

ソース:このサイト時間:2024-08-08ブラウズ数:

f3l8mr12w2m1hpb11モジュールは一种のインピニオンeasypack™2 b 1200 v / 8 m,オメガ3レベルのモジュール、強化された第1世代の溝技術を備えたCoolSiC™MOSFET、一体型NTC温度センサー、プレ塗熱界面材、PressFIT圧着技術を採用しています。特性です・電気的特性です- V

f3l8mr12w2m1hpb11モジュールは一种のインピニオンeasypack™2 b 1200 v / 8 m,オメガ3レベルのモジュール、強化された第1世代の溝技術を備えたCoolSiC™MOSFET、一体型NTC温度センサー、プレ塗熱界面材、PressFIT圧着技術を採用しています。

产品封装.png


特性です

・電気的特性です

- VDSS = 1200 Vです

- IDN = 100 A / IDRM = 200 Aです

高い電流密度です

スイッチング損失が少ないのです

・機械的特性です

-統合されたマウントクリップが取り付けを堅牢にします。

NTC温度センサーが内蔵されています

プレスフィット圧接技術です

熱伝導性媒体のプレコーティングです


応用です

太陽エネルギーの応用です

・トリプルレベル応用です

・電気自動車の直流充電です


製品認証です

•IEC 60747、60749および60068標準の関連テストに基づいて、工業応用の要求を満たします。


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