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LTEやパルスレーダー向けのCGHV27060MP GaN HEMT—ガリウム窒化トランジスタです

LTEやパルスレーダー向けのCGHV27060MP GaN HEMT—ガリウム窒化トランジスタです

ソース:このサイト時間:2024-08-07ブラウズ数:

概説しますCGHV27060MPは、60 Wの窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。プラスチックSMTパッケージ4.4 mm x 6.5 mmです。トランジスタは広帯域デバイスであり、内部入力や出力が一致しません。これにより、UHFから2.7 GHzまでの幅広い周波数帯域に柔軟性…

概説します

CGHV27060MPは、60 Wの窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。プラスチックSMTパッケージ4.4 mm x 6.5 mmです。トランジスタは広帯域デバイスであり、内部入力や出力が一致しません。これにより、UHFから2.7 GHzまでの幅広い周波数帯域に柔軟性を持たせることができます。

产品封装.png

CGHV27060MPは超高週波パルスの応用の優秀なトランジスタです;lバンドまたは低Sバンド(< 2.7 GHz)です。またです;このトランジスタは、クラスA/Bなどの高効率トポロジにおける、平均電力が10 ~ 15wのLTEマイクロ基地局増幅器に非常に適しています。ドハティ増幅器ですデータマニュアルに記載されているCGHV27060MPの典型的な性能は、2.5 ~ 2.7 GHzのクラスA/Bのリファレンスデザインに由来します。


CGHV27060MP仕様です

技術:HEMTです

周波数:2.7GHzです

ゲイン16.5dBです

電圧-テスト:50 Vです

定格電流(アンペア):6.3Aです。

ノイズ係数:-です

電流テスト:125 mAです

出力:80Wです。

電圧-定格:150 Vです

装着タイプ:表面装着タイプです。

パッケージ/ケース:20-TSSOP (0.173", 4.40mm幅)

仕入先デバイス実装:20-TSSOP


特性です

超高週波から2.7GHzまでです

パルスPSATで16.5 dBゲインです

パルスPSATでの効率は70%です

PSATパルスで85 Wです

リニアPAVE = 14 Wでの18 dBゲインです

線形舗装= 14 Wで-35 dBc ACLRです

リニア舗装時の効率は33% = 14wです

高度なDPD補正が可能です


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