7月16日、hankyungは昨日、サムスン電子が次世代HBMメモリ（HBM4）のロジック・ダイの製造に自社の4nmプロセスを使用することを決定したと報じた。ロジック・ダイはDRAMスタックの制御ユニットであり、HBMメモリの重要な部分でもあるインターコネクト層を通じてプロセッサ…
7月16日、hankyungは昨日、サムスン電子が次世代HBMメモリ（HBM4）のロジック・ダイの製造に自社の4nmプロセスを使用することを決定したと報じた。
ロジック・ダイはDRAMスタックの制御ユニットであり、HBMメモリの重要な部分でもあるインターコネクト層を通じてプロセッサ上のメモリ・インターフェースと通信する役割を担っている。
従来、ストレージ・ベンダーは、HBMメモリ用のロジック・ダイを自社のストレージ半導体プロセスで製造してきました。 しかしHBM4世代では、ロジック・ダイはより多くの信号ピン、より大きなデータ帯域幅をサポートし、さらにカスタマイズされた機能を搭載する必要がある。
そのため、ストレージ・ベンダーは、ロジック半導体プロセスでHBM4用のロジック・ダイを製造するために、ロジック・ファウンドリーと協力することを選択する。
以前、TSMCがSK HynixファウンドリーのHBM4ベースダイに7nmプロセスを採用するというニュースがあった。
サムスン電子のストレージ部門は、独自の4nmプロセスを採用してロジックチップを製造しており、一方では、HBM4メモリの全体的なエネルギー効率を向上させ、製品競争力を高めることができる。
一方で、より繊細な4nmプロセスは、様々なカスタマイズ機能導入のためのより多くの余地を残している。 さらに、この動きは、姉妹ユニットのLSI部門に大規模な注文を提供することもできる。
サムスンのストレージ部門にとって、LSIの先端プロセスの製品への導入は前例がないわけではなく、OEM向けのコンシューマー向けSSD「PM9C1a」もLSIの5nmメイン制御を搭載している。
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