深圳市明佳達電子有限会社の新しく、元の販売の炭化ケイ素 MOSFET C2M0280120D 炭化ケイ素力 MOSFET C2MTM MOSFET の技術 N チャネルの強化モード利点- 高いシステム効率- 冷却要件が低い- 電力密度の向上- システム・スイッチング周波数の向上製品属性 (C2M0280120D)メー…
深圳市明佳達電子有限会社の新しく、元の販売の炭化ケイ素 MOSFET C2M0280120D 炭化ケイ素力 MOSFET C2MTM MOSFET の技術 N チャネルの強化モード
利点
- 高いシステム効率
- 冷却要件が低い
- 電力密度の向上
- システム・スイッチング周波数の向上
製品属性 (C2M0280120D)
メーカー: Wolfspeed
製品カテゴリ: 炭化ケイ素MOSFET
チャネルモード: エンハンスメント
構成: Single
フォールオフ時間: 9.9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 2.8 S
Id連続ドレイン電流： 10 A
最大動作温度： + 150 C
最低動作温度： - 55
実装スタイル：スルーホール
チャンネル数： 1チャンネル
パッケージ/ケース： TO-247-3
Pd-許容損失： 62.5 W
製品タイプ： SiC MOSFET
Qg-ゲート電荷量： 5.6 nC
Rds オンドレインオン抵抗： 280 mOhms
立ち上がり時間：7.6 ns
工場出荷時パッケージ数量：30
技術： SiC
商品名：Z-FET
トランジスタ極性： Nチャンネル
標準オフ遅延時間： 10.8 ns
典型的なターンオン遅延時間：5.2 ns
Vds - ドレイン-ソース降伏電圧： 1.2 kV
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 10 V, + 25 V
Vgs th - ゲート-ソース間スレッショルド電圧：2.8 V
単位重量：6 g
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