Vishay Semiconductorのデバイスは、ハイブリッドPINショットキー（MPS）構造で設計されており、高い突入電流保護、低い順方向電圧降下、低い容量性チャージ、および低い逆方向リーク電流を提供します。 Vishay Semiconductorsのデバイスは、ハイブリッドPINショットキー…
Vishay Semiconductorのデバイスは、ハイブリッドPINショットキー（MPS）構造で設計されており、高い突入電流保護、低い順方向電圧降下、低い容量性チャージ、および低い逆方向リーク電流を提供します。 Vishay Semiconductorsのデバイスは、ハイブリッドPINショットキー（MPS）構造で設計されており、高突入電流保護、低順電圧降下、低容量チャージ、低逆方向漏れ電流を実現し、スイッチング電源設計のエネルギー効率と信頼性の向上に貢献します。
最近発表された新世代SiCダイオードには、TO-220AC 2L、TO-247AD 2L、TO-247AD 3LプラグインパッケージおよびD2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面実装パッケージの5A～40Aデバイスが含まれます。 レーザーアニールによる裏面薄膜化を利用したMPS構造により、ダイオードの容量チャージは28nCと低く、順方向電圧降下は1.35Vに低減されています。さらに、25℃でわずか2.5μAの典型的な逆方向リーク電流がデバイスを低減します。 導通損失が低減され、軽負荷時および無負荷時の高いエネルギー効率を保証します。 超高速回復ダイオードとは異なり、第3世代デバイスには回復テールがほとんどないため、さらなる効率向上が可能になります。
炭化ケイ素ダイオードの代表的なアプリケーションには、太陽光発電インバータ、エネルギー貯蔵システム、産業用ドライブおよびツール、データセンターなどのFBPSおよびLLCコンバータ用のAC/DC力率改善（PFC）およびDC/DC UHF出力整流が含まれます。 さらに、D2PAK 2Lパッケージのダイオードは、高電圧での優れた絶縁性を確保するため、高いCTI 600で成型されています。
このデバイスは信頼性が高く、RoHS対応、ハロゲンフリーで、2000時間の高温逆バイアス（HTRB）試験と2000サイクルの熱サイクル温度サイクルに合格しています。
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Vishayは、自動車、産業、コンピューティング、民生、通信、防衛、航空宇宙、医療市場において革新的な設計に不可欠なディスクリート半導体および受動電子部品の世界最大級のメーカーです。
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