ルネサス MOSFETトランジスタ NP30N06QDK-E1-AY デュアルNチャンネルパワーMOSFETトランジスタ製品概要NP30N06QDK-E1-AYは、大電流スイッチングアプリケーション用に設計されたデュアルNチャネルMOS電界効果トランジスタです。製品属性製品カテゴリ MOSFET テクノロジー…
ルネサス MOSFETトランジスタ NP30N06QDK-E1-AY デュアルNチャンネルパワーMOSFETトランジスタ
製品概要
NP30N06QDK-E1-AYは、大電流スイッチングアプリケーション用に設計されたデュアルNチャネルMOS電界効果トランジスタです。
製品属性
製品カテゴリ MOSFET
テクノロジー Si
パッケージ/ケース： HSON-8
トランジスタの極性 Nチャンネル
チャンネル数 1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース降伏電圧: 60 V
Id - 連続ドレイン電流： 30 A
Rds On - ドレイン-ソース間抵抗： 14 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース・スレッショルド電圧：2.5 V
Qg - ゲート電荷: 25 nC
最大動作温度 + 175 C
Pd - 許容損失： 59 W
チャネル・モード エンハンスメント
特徴
超低オン抵抗 RDS(on)1 = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V、ID = 7.5 A)
低Ciss： Ciss = 1500 pF TYP. (VDS = 25 V)
車載アプリケーション向けに設計され、AEC-Q101に適合
小型パッケージ8ピンHSONデュアル
アプリケーション
高集積100W USB-PDチャージャー
連絡先電話：86-755-83294757
企業QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間：9:00-18:00
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