深圳市明佳達電子有限会社は、新オリジナルパッケージのInfineon F4-33MR12W1M1H-B76 1200 V CoolSiC™ MOSFET Fore PACK Hブリッジモジュールを発売します。F4-33MR12W1M1H-B76の紹介本製品は、NTC温度センサーとPressFIT圧着技術を搭載した第一世代の1200 V、33 mΩ Ea…
深圳市明佳達電子有限会社は、新オリジナルパッケージのInfineon F4-33MR12W1M1H-B76 1200 V CoolSiC™ MOSFET Fore PACK Hブリッジモジュールを発売します。
F4-33MR12W1M1H-B76の紹介
本製品は、NTC温度センサーとPressFIT圧着技術を搭載した第一世代の1200 V、33 mΩ EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET Fore PACK Hブリッジモジュールです。
特長
高さ12mmまでの優れたパッケージ
先進のワイドバンドギャップ(WBG)半導体材料
非常に低いモジュールの浮遊インダクタンス
強化された第一世代CoolSiC™ MOSFET
より広いゲート駆動電圧範囲
ゲートソース電圧: +23 Vおよび-10 V
動作接合部温度(Tvjop):過負荷条件下で最高175°C
PressFIT圧着ピン
内蔵NTC温度センサー
利点
優れたモジュール効率
システムコストの優位性
システム効率の向上
放熱要件の低減
高周波数化が可能
電力密度の向上
応用分野
無停電電源装置(UPS)
エネルギー貯蔵システム
電気自動車の急速充電
ソーラーシステム・ソリューション
会社ホーム: www.hkmjd.com
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