LMG3522R050RQSRGaNFETは、ドライバと保護機能を内蔵し、スイッチングモード電源コンバータに適しており、設計者はより高いレベルの電力密度と効率を実現できます。
製品説明です
LMG3522R050RQSR GaN FETは、スイッチドモード電源変換器に適した統合ドライバと保護機能を備えており、設計者がより高いレベルの電力密度と効率を実現することができます。
LMG3522R050はシリコンドライバーを1基搭載し、150V/nsのスイッチング速度を実現しています。siゲート・ドライバの分離型に比べて、TIの集積型の精密ゲート・バイアスは、より高いスイッチングSOAを実現します。この統合特性とTIの低インダクタンスパッケージ技術を組み合わせることで、ハードスイッチング電源トポロジーでクリーンなスイッチと超小型のリンギングを提供します。調整可能なゲート駆動強度は、電圧振り子率を15V/nsから150V/nsの間に抑えることができ、EMIをアクティブに制御し、スイッチング性能を最適化するのに役立ちます。
高度な電源管理機能には、デジタル温度報告と故障検出があります。GaN FETの温度は可変デューティサイクルPWM出力で報告され、デバイスローディング管理が簡単になります。報告された障害には、過熱、過電流、UVLO監視が含まれます。
特性です
・650Vゲートドライブを搭載したgan-on-si FETです
高精度ゲートバイアス電圧を集積します
—200V/ns FET抑制です
3.63.6MHzのスイッチング周波数です
—15-V/nsから150V/nsまでの圧力振り子率は、スイッチング性能を最適化し、EMIを緩和します。
7.5Vから18Vの電源で動作します
•強力な保護です
—応答時間が100ns以下のサイクル毎のオーバーフローとラッチ短絡保護です
ハードスイッチ時は720Vのサージに耐えられます
内部過熱とUVLO監視に対する自己保護です
・高度な電源管理です
デジタル温度PWM出力です
・上部冷却12mm × 12mm VQFNパッケージは、電気的経路と放熱経路を分離し、より低い電源ループのインダクタンスを実現します。
応用です
・スイッチドモード電源変換器です
・商用ネットワークとサーバーPSUです
・業務用通信用電源整流器です
・太陽光インバータと産業用モーターの駆動です
・無停電電源です
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