ルネサス エレクトロニクスは、小型サイズで低電力損失を実現し、電気自動車のインバーターに使用される新世代の Si-IGBT (シリコンベースの絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ) デバイスの発売を発表しました。
ルネサス エレクトロニクスは 9 月 1 日、より小型で低電力損失を実現し、電気自動車のインバーターに適用される新世代の Si-IGBT (シリコンベースの絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ) デバイスの発売を発表しました。この製品は、2023 年前半にルネサスの那珂工場で 200mm および 300mm ウェーハ ラインで量産を開始する予定です。これは、ルネサス初の 300mm ウェーハを使用した量産 IGBT 製品です。
さらに、ルネサスは、パワー半導体製品に対する市場の需要の高まりに応えるために、2024年前半から日本の甲府市にある新しいパワー半導体デバイス300mmファブで製品の生産を開始します。
時間:2024-11-15
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