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インフィニオン パワーMOSFET BSZ440N10NS3G OptiMOS™3 パワートランジスタ、100V

インフィニオン パワーMOSFET BSZ440N10NS3G OptiMOS™3 パワートランジスタ、100V

ソース:このサイト時間:2025-08-30ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社は、インフィニオン製パワーMOSFET BSZ440N10NS3G OptiMOS™3 パワートランジスタを供給します。100V、Rds(on) 44mΩ以下、18Aで、高効率な電源変換を実現します。BSZ440N10NS3G 製品概要インフィニオン(Infineon)BSZ440N10NS3G は、OptiMOS™…

深圳市明佳達電子有限会社は、インフィニオン製パワーMOSFET BSZ440N10NS3G OptiMOS™3 パワートランジスタを供給します。100V、Rds(on) 44mΩ以下、18Aで、高効率な電源変換を実現します。


BSZ440N10NS3G 製品概要

インフィニオン(Infineon)BSZ440N10NS3G は、OptiMOS™ 3 技術を採用したNチャネルパワーMOSFETです。低オン抵抗、高速スイッチング性能、高信頼性を特徴とし、高効率が求められる電源変換アプリケーションに最適です。


BSZ440N10NS3G 製品特性

低オン抵抗:10Vのゲート・ソース電圧で、ドレイン・ソース間オン抵抗はわずか44mΩ。導通損失を低減し、システム効率を向上。

高電流能力:25°Cにおける連続ドレイン電流(Id)は最大5.3A。高電力アプリケーションの要求を満たす。

高速スイッチング:高速なスイッチング速度により、電源変換効率の向上とスイッチング損失の低減を実現。

高信頼性:先進的な製造プロセスとパッケージ技術を採用し、様々な動作条件下でのデバイスの安定性と信頼性を確保。

多様な保護機能:過熱保護や過電流保護など、複数の保護機能を内蔵し、システムの安全性と信頼性を強化。


BSZ440N10NS3G 仕様パラメータ

パッケージ形式:PG-TSDSON-8

ドレイン・ソース間電圧(Vds):100V

ゲート・ソース間しきい値電圧(Vgs(th)):2.7V @ 12μA

ドレイン・ソース間オン抵抗(Rds(on)):44mΩ @ 12A, 10V

最大消費電力(Pd):29W(Tc=25°C)

動作温度範囲:-55°C ~ +150°C(TJ)


応用分野

BSZ440N10NS3Gは以下の分野で幅広く活用されています:

AC-DC SMPSの同期整流:電源変換効率を向上させ、エネルギー消費を低減。

DC-DCコンバータ:サーバー、通信機器など向けの高効率直流電源変換を実現。

モーター駆動:モーター制御アプリケーションにおいて高効率な電力制御を提供。

自動車電子機器:電気自動車のバッテリー管理システムなど、自動車電子制御システムに適用。

産業オートメーション:産業制御システムにおいて高速な論理制御とデータ処理を実現。


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