東芝エレクトロニクス&ストレージ株式会社は本日、650Vの炭化ケイ素(SiC) MOSFET「TW027U65C」「TW048U65C」「TW083U65C」の3モデルを発売すると発表しました。最新の第3世代SiC MOSFETチップを搭載し、スイッチング電源や太陽光発電機のパワーレギュレータなどの産業…
東芝エレクトロニクス&ストレージ株式会社は本日、650Vの炭化ケイ素(SiC) MOSFET「TW027U65C」「TW048U65C」「TW083U65C」の3モデルを発売すると発表しました。最新の第3世代SiC MOSFETチップを搭載し、スイッチング電源や太陽光発電機のパワーレギュレータなどの産業機器に適したTOLLパッケージを表面に貼り付けています。3つのデバイスは本日より量産出荷に対応しています。
新製品はToshibaの第3世代SiC MOSFETで、to-247やto-247-4 l (X)などの貫通孔パッケージに比べて、デバイス体積を80%以上削減し、デバイスの電力密度を高めた汎用表面実装TOLLパッケージを採用しています。
また,スルーホール・パッケージよりも寄生インピーダンスが小さいため,スイッチング損失も低減できます。4ピンパッケージで,ゲート駆動の信号源端子へのケルビン接続に対応しています。これは、パッケージ内のソース線インダクタンスの影響を低減し、高速スイッチング性能を実現します。TW048U65Cのケースでは、Toshiba従来品に比べて開通損失を約55%、オフ損失を約25%低減し、デバイスの電力消費の低減に貢献しています。
Toshibaは今後もSiCパワーデバイスのラインナップを拡大し、設備効率の向上と電力容量の増加に貢献していきます。
応用です:
-サーバー、データセンター、通信机器などのスイッチング電源です。
電気自動車の充電ステーションです
太陽光インバータです
無停電電源です
特性です:
-表面にTOLLパッケージを貼り付け、装置の小型化と自働化、スイッチングロスの低減を実現します。
-Toshiba第3世代SiC MOSFETです
・ドリフト抵抗とトレンチ抵抗比の最適化により、ドレイン・ソースオン抵抗の良好な温度依存性を実現しました
・低ドレインソースオン抵抗×ゲート漏電負荷
・ローダイオード順方向電圧:VDSF =—1.35V(典型値)(VGS =—5V)です。
もっと詳しいニュースは訪問を歓迎しますwww.hkmjd.com。
連絡先電話：86-755-83294757
企業QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間：9:00-18:00
連絡先メールボックス：sales@hkmjd.com
会社の住所：広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239～1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク:
最新情報
