8月25日、SKハイニックスは、321層2Tb QLC NANDフラッシュメモリ製品の開発を完了し、量産を開始したと発表しました。この成果は、世界初の300層を超えるQLC技術の実用化を意味し、NANDストレージ密度の新基準を確立しました。同社は、グローバルな顧客検証を完了後、来年…
8月25日、SKハイニックスは、321層2Tb QLC NANDフラッシュメモリ製品の開発を完了し、量産を開始したと発表しました。この成果は、世界初の300層を超えるQLC技術の実用化を意味し、NANDストレージ密度の新基準を確立しました。同社は、グローバルな顧客検証を完了後、来年上半期に正式に製品を発売する計画です。
新製品のコスト競争力を向上させるため、SKハイニックスは既存のソリューションの2倍の容量である2Tbのデバイスを開発しました。大容量NANDで発生する可能性のある性能低下に対応するため、同社はチップ内の平面（plane）の数を4から6に増加させました。平面はチップ内の独立した操作単位であり、この変更により並列処理能力が強化され、同期読み取り性能が大幅に向上しました。
したがって、以前のQLC製品と比べ、321層QLC NANDは容量と性能の両面で大幅な向上を実現しています。データ転送速度は2倍に、書き込み性能は最大56%向上し、読み取り性能は18%向上しています。さらに、書き込み電力効率は23%以上向上し、低電力要件が極めて厳しいAIデータセンター分野での競争力がさらに強化されています。
報道によると、SKハイニックスはまず321層NANDをPC用SSDに適用し、その後データセンターのエンタープライズ向けSSD（eSSD）とスマートフォンのUFSに展開する計画です。独自の32DP技術を活用し、単一のパッケージ内に32個のNANDチップを同時に積層できるこの技術により、SKハイニックスは統合密度を2倍に高め、超高容量eSSD市場に進出。AIサーバー向けのサービス提供を目指す。
「量産開始により、高容量製品ポートフォリオにおける競争力を大幅に強化し、コスト競争力を確保しました」と、SKハイニックスNAND開発部門責任者のチョン・ウピョ氏は述べました。「データセンター市場におけるAI需要の爆発的増加と高性能要件の向上に伴い、フルスタックAIストレージプロバイダーとして重大な飛躍を遂げます」
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