深圳市明佳達電子有限会社へようこそ

sales@hkmjd.com

日banner
深圳市明佳達電子有限会社

サービス電話:86-755-83294757

製品分類

AIプロセッサー・チップ

抵抗器ネットワーク

トップページ /企業の動向 /

インフィニオン IKW25N120H3 高速 1200V 25A IGBT トランジスタ、逆並列ダイオード付き

インフィニオン IKW25N120H3 高速 1200V 25A IGBT トランジスタ、逆並列ダイオード付き

ソース:このサイト時間:2025-08-23ブラウズ数:

インフィニオン IKW25N120H3 高速 1200V 25A IGBT トランジスタ、逆並列ダイオード付き深圳市明佳達電子有限公司は、業界で知られる電子部品の独立系ディストリビューターとして、インフィニオンのIKW25N120H3高速1200V 25A IGBTトランジスタを在庫から供給しています。こ…

インフィニオン IKW25N120H3 高速 1200V 25A IGBT トランジスタ、逆並列ダイオード付き


深圳市明佳達電子有限公司は、業界で知られる電子部品の独立系ディストリビューターとして、インフィニオンのIKW25N120H3高速1200V 25A IGBTトランジスタを在庫から供給しています。この製品は、先進のTRENCHSTOP™技術を採用し、逆並列ダイオードを内蔵しています。


このIKW25N120H3デバイスは、スイッチング損失と導通損失のバランスに優れており、特に高周波ハードスイッチングアプリケーションに最適です。工業用モータードライブ、無停電電源装置(UPS)、溶接機器、太陽光発電インバーターなど、多様なアプリケーションにおける理想的な選択です。


【IKW25N120H3製品概要】

IKW25N120H3は、インフィニオンの第4世代高速TRENCHSTOP™ IGBT技術の代表的な製品です。TO-247-3パッケージを採用し、1200V、25AのIGBTと高速反並列ダイオードを統合しています。


この設計により、外部部品の必要性が減少し、システム統合性と信頼性が向上します。


このIKW25N120H3デバイス最大の技術的特徴は、最適化されたスイッチング特性です。フィールドストップ(Field Stop)溝槽技術を採用し、低い飽和電圧降下(Vce(sat))を実現するとともに、スイッチング損失を大幅に低減し、70kHzまでの高い周波数で効率的に動作可能です。


【IKW25N120H3の主要な性能パラメーター解析】

IKW25N120H3は、アプリケーションにおける性能を直接決定する複数の印象的な電気的特性を備えています:

電圧と電流仕様:コレクタ-エミッタ電圧(Vces)は最大1200V、連続コレクタ電流(Ic)は25°Cで最大50A、100°Cで25A、パルス電流能力は最大100Aです。

導通特性:集電極-発射極飽和電圧(Vce(sat))の典型値は2.05V(15Vのゲート電圧、25Aの集電極電流条件下で測定)。この低い導通電圧降下は、導通状態での電力損失を低減します。

スイッチング特性:オン遅延時間(td(on))はわずか26ns、オフ遅延時間(td(off))は277nsです。この高速なスイッチング速度により、高周波アプリケーションに適していますが、駆動回路設計において電圧過渡と電磁干渉の抑制を考慮する必要があります。

スイッチング損失:オンエネルギー(Eon)は1.8mJ、オフエネルギー(Eoff)は0.85mJ (ハードスイッチング条件下)。低いスイッチング損失は、システム効率の向上と熱管理要件の低減に直接つながります。

内蔵ダイオード特性:逆並列ダイオードの逆回復時間(trr)は290ns34、正方向電圧(VF)は2.4Vです。これにより、誘導性負荷アプリケーションでの継続電流能力が確保されます。

熱性能:デバイスの最大消費電力(Ptot)は326W、動作結温範囲は-40°Cから+175°Cです。広い温度範囲により、過酷な動作環境にも対応可能です。


【IKW25N120H3の構造とパッケージ特徴】

IKW25N120H3は標準のTO-247-3スルーホールパッケージ(PG-TO247-3とも呼ばれる)を採用しており、優れた機械的強度と熱性能を備えています。


IKW25N120H3のパッケージ寸法は、長さ16.13mm、幅5.21mm、高さ21.1mm²です。この広く採用されているパッケージ形式は、取り付けと放熱処理が容易で、ほとんどの標準的なヒートシンクと互換性があります。


IKW25N120H3デバイス自体の重量は約5.42グラムで、パッケージ材料はRoHSおよび鉛フリー基準に準拠し、環境保護要件を満たしています。パッケージ内部には銅基板と最適化された内部配線設計を採用し、優れた電流容量と熱伝導効率を確保しています。


【IKW25N120H3の技術特性と優位性】

IKW25N120H3 IGBTトランジスタは複数の技術的優位性を備えています:

高電圧対応:1200Vの集電極耐圧電圧で、高電圧アプリケーション環境に適しています

高電流処理:最大連続集電極電流50A、パルス電流100Aまで対応

低損失性能:低スイッチング損失と低導通損失を組み合わせ、システム効率を向上

優れた熱性能:動作結温範囲-40°Cから175°C、最大出力326W

高速スイッチング特性:20kHz以上の高周波スイッチングトポロジーに適しています


これらの特性により、IKW25N120H3は多様なパワーエレクトロニクスアプリケーションの理想的な選択となります。


【IKW25N120H3の応用分野】

IKW25N120H3は多様なパワーエレクトロニクス応用、特に高スイッチング周波数と高効率が求められる場面に最適です:


産業用モータードライブ:インバーターやサーボドライブにおいてパワースイッチング素子として使用され、高スイッチング周波数により高精度なモーター制御を実現します。

無停電電源装置(UPS):特にオンライン式UPSのインバーターと整流部において、エネルギー変換効率を向上させます。

溶接機器:インバーター溶接機のパワー変換部に使用され、高周波数により小型のトランスを使用可能です。

太陽光発電インバーター:ストリング型太陽光発電インバーターのDC-AC変換段階に使用され、高電圧対応能力が太陽光発電ストリングの電圧要件に適合します。

スイッチングモード電源(SMPS):大電力通信電源やサーバー電源の高周波数パワー変換段に特に適しています。


会社紹介
私たちについて
ニュース
栄誉と資質
在庫照会
分類クエリー
仕入先照会
ヘルプセンター
オンライン引合
よくある質問
公式サイト
お問い合わせ

連絡先電話:86-755-83294757

企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585

サービス時間:9:00-18:00

連絡先メールボックス:sales@hkmjd.com

会社の住所:広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239~1241号室

CopyRight©2022 明佳達著作権の所有   広東ICP備05062024号-12

公式QRコード

ブランド索引:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

友情リンク:

skype:mjdsaler