ECB4 R3 M12 YM3 Wolfspeed1200 V炭化ケイ素（SiC）パワーモジュールの概要

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ECB4 R3 M12 YM3 Wolfspeed1200 V炭化ケイ素（SiC）パワーモジュールの概要

ソース:このサイト時間:2025-08-22ブラウズ数:

ECB4R3M12YM3はWolfspeed社が発売した1200V炭化シリコン(SiC)パワーモジュールで、YMシリーズの製品です。Wolfspeedの高度な炭化シリコン技術を採用し、高出力アプリケーションに高効率、高信頼性、高出力密度のソリューションを提供することを目指しています。モジュール…

ECB4R3M12YM3はWolfspeed社が発売した1200V炭化シリコン(SiC)パワーモジュールで、YMシリーズの製品です。Wolfspeedの高度な炭化シリコン技術を採用し、高出力アプリケーションに高効率、高信頼性、高出力密度のソリューションを提供することを目指しています。

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モジュール概要です

ECB4R3M12YM3は1200Vの炭化シリコン(SiC)パワーモジュールで、WolfspeedのYMパッケージを採用しています。ECB4R3M12YM3は、6つのNチャネルSiC MOSFETを統合し、3相インバータ設計(シックスパック)を構成しています。例えば、電気自働車のメインドライブインバータ、産業電机駆働、再生可能エネルギー発電システムなどに適しています。

このモジュールの核心的な利点は炭化シリコン材料自体の高いスイッチング周波数、高い作業効率、高い温度安定性、低いスイッチング損失とオン損失を利用して、システムの小型化、軽量化、より高いエネルギー効率を助けます。

主な仕様です

製品:ECB4R3M12YM3です

炭化ケイ素(SiC)です

構成:6 Nトレンチ(三相インバータ)です。

FET機能:-です

リーク電圧(Vdss): 1200V (1.2kV)です。

25°C時電流-連続ドレイン(Id): 385Aです

異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):5.5ミリオ@ 350A, 15Vです。

Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):3.6V @ 84mAです。

異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):848nC @ 15Vです。

異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):25600pF @ 800Vです。