人工知能データセンター向けNTTFSSCH1 D3 N04 XL高性能NチャネルパワーMOSFET【onsemi】

製品分類

最新情報: 企業の動向; 業界情報

トップページ /企業の動向 /

人工知能データセンター向けNTTFSSCH1 D3 N04 XL高性能NチャネルパワーMOSFET【onsemi】

ソース:このサイト時間:2025-08-18ブラウズ数:

NTTFSSCH1D3N04XLは、大電流シーンを処理するために設計された高性能NチャネルパワーMOSFETで、特にデータセンターやクラウドアプリケーションでの直流-直流コンバータ(dc-dc)に適しています。以下は主な特徴と応用例です。超低1.3 mオメガrds (on)システムの効率を高めた…

NTTFSSCH1D3N04XLは、大電流シーンを処理するために設計された高性能NチャネルパワーMOSFETで、特にデータセンターやクラウドアプリケーションでの直流-直流コンバータ(dc-dc)に適しています。以下は主な特徴と応用例です。

超低1.3 mオメガrds (on)システムの効率を高めた

駆動およびスイッチング損失を最小限に抑える低Qgとキャパシタです

基板レベル信頼性(BLRT試験):1,000回(-40°Cから+125°Cまで10分間)です。dwell, +20°C/min, 6層2.35Tです

高度なダウンソース型センターゲート二重冷却パッケージ技術を採用し、熱伝導性に優れています。

パッケージサイズ:3.3 mm x 3.3 mm x 0.58 mmです。

鉛フリー,ハロゲンフリー,BFRフリー,RoHS指令準拠です

产品图片.png

応用シーンです

NTTFSSCH1D3N04XLは以下のようなシーンに対応します。

クラウドシステムです

データセンター/IBCです

電源ユニット(PSU)です。

記述します

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®MOSFETは直流-直流電源変換段で重要な大電流を扱うよう設計されています。この40V、207A、シングルNチャネルパワーMOSFETは、より低いオン抵抗、より高いパワー密度、優れた放熱性能を備えています。

この遮断ゲート槽のデザインを持つ超低ゲートと1.3 mオメガ・電荷rds (on)。コンパクトな3.3mmx3.3mm下ソース二重冷第二世代パッケージは、鉛フリー、ハロゲンフリー、BFRフリーで、RoHS指令に準拠しています。このNTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFETは、データセンターやクラウドアプリケーションに効率的なソリューションを提供するよう設計されています。

コアパラメータです

製品:NTTFSSCH1D3N04XLです

FETタイプ:Nチャネルです

技術:MOSFET(金属酸化物)です

ドレインソース電圧(Vdss): 40 Vです

25°C時電流-連続ドレイン(Id): 207A (Tc)です

駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 4.5V、10Vです。

異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):1.3ミリオ@ 24A, 10Vです。

Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):2.2V @ 120µAです。

異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):28 nC @ 6 Vです。

Vgs(最大値):±20Vです

異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):3480 pF @ 20 Vです。