Wolfspeedは第4世代1200 V車規級ベアチップ炭化ケイ素MOSFETを発売

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Wolfspeedは第4世代1200 V車規級ベアチップ炭化ケイ素MOSFETを発売

ソース:このサイト時間:2025-08-12ブラウズ数:

8月12日、Wolfspeedは第4世代（Gen 4）1200V車載用シリコンカーバイド（SiC）裸チップMOSFETシリーズを発売しました。このシリーズは、過酷な自動車環境向けに設計されています。Wolfspeedの第4世代高性能シリコンカーバイドMOSFETは、185Cで連続動作が可能であり、動力伝…

8月12日、Wolfspeedは第4世代（Gen 4）1200V車載用シリコンカーバイド（SiC）裸チップMOSFETシリーズを発売しました。このシリーズは、過酷な自動車環境向けに設計されています。Wolfspeedの第4世代高性能シリコンカーバイドMOSFETは、185°Cで連続動作が可能であり、動力伝達システムが最大性能を発揮できるよう支援します。

このシリーズは、パッケージなしの裸チップ設計を採用しており、さまざまなカスタムモジュールに柔軟に統合可能です。高遮断電圧、低オン抵抗、高速スイッチング、低容量などの優れた特性により、このデバイスは自動車の動力伝達システムとモーター駆動アプリケーションの理想的なソリューションとなります。

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1. 技術的特徴と性能向上

導通とスイッチング損失の最適化：Gen4 MOSFETは、高温時の導通抵抗（RDS(on)）とスイッチング損失を低減することで、効率を大幅に向上させます。例えば、高温時の特定導通抵抗は21%低減され、スイッチング損失（EON/EOFF）は15%減少しています。これにより、広範な負荷範囲のアプリケーション（例：電気自動車のインバーター、産業用モータードライバー）に最適です。

ボディダイオードの改善：

ボディダイオードの逆回復性能が3.5倍向上し、スイッチングプロセス中の電磁干渉（EMI）とリング現象を低減し、フィルタ設計を簡素化するとともに、より高いスイッチング周波数に対応します。

信頼性の向上：

短絡耐性：2マイクロ秒の短絡耐性時間をサポートし、故障時の安全性を確保します。

宇宙線干渉耐性：設計最適化により、宇宙線による故障率が100倍低下し、高高度アプリケーション（例：電気自動車、航空電子機器）に適しています。

高温動作：185°Cで継続動作可能で、限定条件下では200°Cをサポートします。

2. 応用シーンとシステム優位性

自動車分野：1200V車載規格裸チップMOSFETは動力伝達システム向けに設計され、損失を低減して航続距離を延長し、放熱要件を軽減し、高電力密度統合をサポートします。

産業とエネルギー：産業用モータードライバー：高周波スイッチング特性により磁気部品の体積を縮小し、コストを低減します。

再生可能エネルギーシステム：変換効率を向上させ、メンテナンス要件を低減します。

新興分野：eVTOL（電動垂直離着陸機）や航空電子機器など、高出力密度と信頼性が求められる分野で活用されます。

3. パッケージングと互換性

柔軟なパッケージング設計：裸チップ形式はカスタムモジュール統合に対応し、先進的なパッケージング技術により寄生インダクタンスを低減し、熱管理を最適化（例：圧接式ピン設計）。

プラグアンドプレイアップグレード：既存のゲートドライブ技術と互換性があり、第3世代から第4世代への移行を簡素化します。

4. 生産能力と製造

Wolfspeedは200mmウェハ技術でGen4チップを製造し、世界最大のシリコンカーバイド製造工場を基盤に、生産能力を30倍に拡大する計画で、市場リーダーシップをさらに強化します。

まとめ

Wolfspeed Gen4 SiC MOSFETは、効率、信頼性、使いやすさなど多角的な性能最適化により、高出力アプリケーションの基準を再定義しています。特に、エネルギー効率と耐久性に厳しい要件が求められるシーンに最適です。技術詳細と実測データ（波形比較、損失低減など）は、公式ホワイトペーパーをご参照ください。

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