【供給元】VND5N07TR（ST） OMNIFET II™シリーズ ローサイド・スイッチIC深圳市明佳達電子有限公司——ST（VND5N07TR）低側スイッチ——OMNIFET II™シリーズ 全自動保護パワーMOSFETを長期供給。製品の詳細は以下の通りです：ST【VND5N07TR】OMNIFET：全自動保護パワー…
【供給元】VND5N07TR（ST） OMNIFET II™シリーズ ローサイド・スイッチIC
深圳市明佳達電子有限公司——ST（VND5N07TR）低側スイッチ——OMNIFET II™シリーズ 全自動保護パワーMOSFETを長期供給。製品の詳細は以下の通りです：
ST【VND5N07TR】OMNIFET：全自動保護パワーMOSFET——低側スイッチ
概要__VND5N07TR：
VND5N07TR は、ST®VIPower®M0 技術を採用した単一チップデバイスで、直流から 50 kHz までのアプリケーションにおける標準パワー MOSFET の代替として設計されています。VND5N07TR に内蔵された熱シャットダウン、線形電流制限、過電圧クランプ機能は、過酷な環境下でチップを保護します。VND5N07TR は、入力ピン電圧を監視することで故障フィードバックを検出できます。
VND5N07TR 仕様パラメーター：
シリーズ：OMNIFET II™, VIPower™
スイッチタイプ：汎用
出力数：1
比率 - 入力:出力：1：1
出力構成：ローサイド
出力タイプ：Nチャネル
インターフェース：オン/オフ
電圧 - 負荷：55V（最大）
電圧 - 電源（Vcc/Vdd）：不要
電流 - 出力（最大値）：3.5A
オン抵抗（典型値）：200 ミリオーム（最大）
入力タイプ：非反相
故障保護：電流制限（固定）、過温度、過電圧
動作温度：-40°C ～ 150°C（TJ）
取り付けタイプ：表面実装型
サプライヤーのデバイスパッケージ：DPAK
パッケージ/ケース：TO-252-3、DPAK（2 端子 + タブ）、SC-63
VND5N07TR 製品機能：
線形電流制限
熱シャットダウン
短絡保護
統合クランプ
入力端子低電流消費
入力端子経由の診断フィードバック
静電気放電保護
パワーMOSFETのゲートへの直接アクセス（アナログ駆動）
標準パワーMOSFETとの互換性
【明佳達電子】はST（VND5N07TR）OMNIFET II™シリーズ低側スイッチングICを長期供給しています。VND5N07TRに関する製品情報やお見積りをご希望の場合は、明佳達電子までお問い合わせください：
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