メモリソリューションの世界的なリーディングカンパニーであるキオクシアは本日、自動車アプリケーション向けの新しい汎用フラッシュストレージ(UFS)バージョン4.1組み込みストレージのサンプル出荷を開始したと発表しました。次世代車載システムの厳しいニーズを満たすよ…
メモリソリューションの世界的なリーディングカンパニーであるキオクシアは本日、自動車アプリケーション向けの新しい汎用フラッシュストレージ(UFS)バージョン4.1組み込みストレージのサンプル出荷を開始したと発表しました。次世代車載システムの厳しいニーズを満たすように設計されたこれらの新機器は、キオクシアの第8世代BiCS FLASH™3Dフラッシュメモリと独自のコントローラ技術により、性能、柔軟性、診断機能が大幅に向上しています。
新型UFS 4.1は、128GB、256GB、512GB、1TBの容量を選択でき、インフォテインメントシステム、先進運転支援システム(ADAS)、車載遠隔情報処理、ドメインコントローラ、車載コンピュータなどのシーンのニーズに応えることを目指しています。aec-q 100/104 Grade 2に準拠し、115°Cまでの外筐温度に対応しています。
新モデルのUFS 4.1 (512GB)はキオクシアのUFS 3.1世代と比較して以下のように性能が向上しました。
・連続読み取り性能が約2.1倍向上しました
・連続書き込み性能が約2.5倍向上しました
・ランダム読み取り性能が約2.1倍向上しました
・ランダム書き込み性能が約3.7倍向上しました
これらの改善は、データ集約的な車載環境によりスムーズなユーザー体験をもたらします。
中心的な特徴は以下の通りです。
・UFS 4.1仕様に準拠しており、WriteBooster関連の拡張機能(WriteBoosterバッファの調整や部分リフレッシュモードの固定など)が含まれており、パフォーマンスの最適化に向けてより高い柔軟性を提供します。UFS 4.1はUFS 4.0とUFS 3.1に後方互換性があります。
メーカー固有の機器健康記述子を追加し、機器の状態監視と予測メンテナンスを簡素化します。
•第8世代BiCS FLASH™3Dフラッシュメモリを採用しています。
キオクシアのUFS 4.1は、同社の革新的な3DフラッシュメモリとコントローラをJEDEC標準パッケージに組み込んでいます。これらの新しいUFSデバイスはキオクシアの第8世代BiCS FLASH™3Dフラッシュメモリを使用しています。この世代はCBA (CMOSダイレクト・キー・アンド・アレイ)技術を導入し、フラッシュメモリの設計に大きな飛躍をもたらしました。CMOS回路を直接メモリアレイに結合することで、CBA技術はエネルギー効率、性能、メモリ密度を大幅に向上させました。
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