明佳逹は、統合されたドライバと保護機能を備えた真新しいオリジナル LMG3410R070RWHR LMG3410R070 600V 70mΩ GaN を供給
明佳逹は、統合されたドライバと保護機能を備えた真新しいオリジナル LMG3410R070RWHR LMG3410R070 600V 70mΩ GaN を供給
メーカー: テキサス・インスツルメンツ
メーカー品番：LMG3410R070RWHR
説明: PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVER
詳細な説明: 電源スイッチ/ドライバ 1:1 Pチャネル 12A 32-VQFN (8x8)
パラメータ:
スイッチ タイプ: 負荷スイッチ
出力数：1
比率 - 入力:出力: 1:1
出力構成：ハイエンド
出力タイプ：Pチャンネル
インターフェース: ロジック、PWM
電圧 - 負荷: 480V (最大)
電圧 - 電源 (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V
電流 - 出力 (最大): 12A
オン抵抗 (標準): 70 ミリオーム
入力タイプ: 非反転
特長: ブートストラップ回路、5V安定化出力
障害保護: 過電流、過熱、UVLO
動作温度: -40°C ~ 125°C (TJ)
取り付けタイプ: 表面実装タイプ
ベンダー デバイス パッケージ: 32-VQFN (8x8)
パッケージ/ケース: 32-VQFN 露出パッド
ベース製品番号: LMG3410R070
LMG341xR070 GaN 電力ステージは、ドライバと保護機能が統合されているため、設計者はパワー エレクトロニクス システムでより高いレベルの電力密度と効率を実現できます。シリコン MOSFET に対する LMG341x 固有の利点には、超低入力および出力容量値、スイッチング損失を 80% 削減するゼロ逆回復、および EMI を削減する低スイッチ ノード リンギングが含まれます。これらの利点により、トーテムポール PFC などの高密度で効率的なトポロジが可能になります。
LMG341xR070 は、設計を簡素化し、信頼性を最大化し、あらゆる電源の性能を最適化する独自の機能セットを統合することにより、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わるものを提供します。内蔵ゲート ドライバは 100V/ns のスイッチング (ほぼゼロの Vds リンギング) をサポートし、サブ 100ns の電流制限は偶発的なシュートスルー イベントから自身を保護し、サーマル シャットダウンは熱暴走を防止し、システム インターフェイス信号は自己監視を提供します。
デバイス オプション:
LMG3410R070: ラッチ過電流保護
LMG3411R070: サイクルごとの過電流保護
同社はまた、LMG3410R070RWHRパワーマネジメント、窒化ガリウム（GaN）ICを取得し、エージェント、トレーダー、端末工場などの通常のソースのみをリサイクルし、通常のソースではないソースを受け入れません。
在庫 IC の電子部品シリーズの完全なリサイクル: 5G チップ、新エネルギー IC、モノのインターネット IC、Bluetooth IC、車両のインターネット IC、車両レベルの IC、基地局 IC、通信 IC、人工知能 IC、医療用 IC、家電IC、音声IC、メモリIC、センサーIC、マイコンIC、トランシーバーIC、携帯電話IC、iPhone IC/時計IC、ウェアラブルIC、コネクタ、照明IC、コンデンサ抵抗器、TO-247、ダイオードとトライオード。
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