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MOSFETトランジスタ BSC059N04LS6 OptiMOS™ 6 40V パワーMOSFET

MOSFETトランジスタ BSC059N04LS6 OptiMOS™ 6 40V パワーMOSFET

ソース:このサイト時間:2025-07-28ブラウズ数:

明佳達電子は、専門の電子部品サプライヤーとして、高性能なMOSFETトランジスタ「BSC059N04LS6」を在庫品として供給しています。このトランジスタはInfineonのOptiMOS™ 6シリーズに属し、40VのパワーMOSFETとして、高効率で低発熱設計のシステムに幅広く採用されています…

明佳達電子は、専門の電子部品サプライヤーとして、高性能なMOSFETトランジスタ「BSC059N04LS6」を在庫品として供給しています。このトランジスタはInfineonのOptiMOS™ 6シリーズに属し、40VのパワーMOSFETとして、高効率で低発熱設計のシステムに幅広く採用されています。

BSC059N04LS6.jpg

BSC059N04LS6 製品概要

BSC059N04LS6 は、N チャネルパワー MOSFET で、TDSON-8-EP パッケージを採用し、高効率、低オン抵抗、高スイッチング性能の要件を満たすように設計されています。耐圧は40Vで、連続ドレイン電流は59Aまで対応可能。導通抵抗は5.9mΩ(@10V, 50A)と低減されており、同期整流、ORing回路、多チャンネルLED駆動など多様なアプリケーションに最適です。


BSC059N04LS6 の機能特性

低オン抵抗:同類製品と比較して、BSC059N04LS6 のオン抵抗は30%低減され、トーテムポール損失は29%減少、スイッチング損失は46%低減されており、高効率・低発熱設計のシステムに最適です。

高スイッチング性能:ゲート電荷量は9.4nC(@10V)、入力容量は830pF(@20V)、逆伝送容量は21pF(@20V)で、高速スイッチングを実現します。

広範な動作温度範囲:動作温度範囲は-55℃から+175℃で、過酷な環境下でも使用可能です。

誤導通防止設計の最適化:標準レベルパワーMOSFETは不要な誘導誤導通を最適化し、電力損失と故障リスクを低減します。


仕様パラメーター

型番:BSC059N04LS6

ブランド:Infineon

パッケージ:TDSON-8

耐圧:40V

連続ドレイン電流:59A

導通抵抗:5.9mΩ(@10V, 50A)

消費電力:38W

しきい値電圧:2.3V

ゲート電荷量:9.4nC(@10V)

入力容量:830pF(@20V)

逆伝送容量:21pF(@20V)

動作温度範囲:-55℃ から +175℃


応用分野

BSC059N04LS6 は以下の分野で広く採用されています:

電源管理:サーバー、デスクトップパソコン、ワイヤレス充電器、急速充電装置における同期整流。

LED 駆動:多チャンネル LED 照明システム。

回路保護:ORing 回路(過負荷保護)および逆接続防止回路設計。


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