明佳達電子新しいオリジナル供給NORフラッシュS70GL02GS11FHI010 FLASH - NORメモリIC 2Gbパラレル110 ns 64-FBGAS70GL02GS 2-Gb MIRRORBIT™ フラッシュメモリ デバイスは、65nm MIRRORBIT™ プロセス技術を用いて製造されています。 このデバイスは、25nsの高速ページ・…
明佳達電子新しいオリジナル供給NORフラッシュS70GL02GS11FHI010 FLASH - NORメモリIC 2Gbパラレル110 ns 64-FBGA
S70GL02GS 2-Gb MIRRORBIT™ フラッシュメモリ デバイスは、65nm MIRRORBIT™ プロセス技術を用いて製造されています。 このデバイスは、25nsの高速ページ・アクセス時間と110nsの対応するランダム・アクセス時間を備えています。また、書き込みバッファを備えており、1回の操作で最大256ワード/512バイトをプログラムできます。
パラメータ：S70GL02GS11FHI010
密度： 2048 MBit
シリーズ：GL-S
初期アクセス時間：110 ns
インターフェース周波数（SDR/DDR）（MHz）：NA
インターフェイス：パラレル
リードボール仕上げ： 錫/銀/銅
最低および最大動作温度： -40 °C 85 °C
最小および最大動作電圧： 3 V 2.7 V 3.6 V
ページ・アクセス時間：20 ns
ピーク・リフロー温度：260 °C
認定： 産業グレード
特徴
- 多機能I/O™付き3.0 V CMOSコア
- 1個の64ボール強化BGAパッケージ（S29GL01GS）に1024メガビットを2個搭載
- 65 nm MIRRORBIT™プロセス技術
- 読み出し/プログラム/消去用の単一電源（VCC）（2.7V～3.6V）
- マルチファンクションI/O機能
- ワイドI/O電圧（VIO）：1.65 V～VCC
- 16データ・バス
- 16ワード/32バイト・ページ・リード・バッファ
- 512バイト・プログラミング・バッファ
- 最大512バイトのページ倍数でプログラミング可能
- セクタ消去
- 一律128KBセクタ
- S70GL02GS：248セクタ
- プログラミングおよび消去動作の一時停止および再開コマンド
- ステータス・レジスタ、データ・ポーリング、およびレディ/ビジー・ピンによるデバイス・ステータスの決定方法
- アドバンスド・セクター保護（ASP）
- セクタごとの揮発性および不揮発性保護方式
- 2つのロック可能領域を持つ独立した1024ビットOTP（ワンタイム・プログラミング）アレイ
- 各デバイスはコモン・フラッシュ・インターフェイス（CFI）をサポート
- WP#入力
- セクタ保護設定に依存せず、各デバイスの最初または最後のセクタ、あるいは最初と最後のセクタを保護
- 温度範囲
- 工業用温度範囲（-40℃～+85）
- 標準100,000消去/セクター
- 標準データ保持期間20年
- パッケージ・オプション
- 64ボールLSH強化BGA、13 mm 11 mm
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