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インフィニオン BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ 3 Nチャネル パワーMOSFETトランジスタ

インフィニオン BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ 3 Nチャネル パワーMOSFETトランジスタ

ソース:このサイト時間:2025-07-14ブラウズ数:

インフィニオン BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ 3 Nチャネル パワーMOSFETトランジスタ深圳市明佳達電子有限公司は、電子部品業界の主要なサプライヤーとして、インフィニオンの高性能BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ 3 Nチャネル パワーMOSFETトランジスタを常時在庫で供給…

インフィニオン BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ 3 Nチャネル パワーMOSFETトランジスタ


深圳市明佳達電子有限公司は、電子部品業界の主要なサプライヤーとして、インフィニオンの高性能BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ 3 Nチャネル パワーMOSFETトランジスタを常時在庫で供給しています。


【製品概要と主要特性】

BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ MOSFETトランジスタは、性能面で業界をリードする基準技術であり、48Vシステムの同期整流、DC-DCコンバーター、無停電電源装置(UPS)、および直流モータードライバーのインバーターなどに最適です。


主要な電気的パラメーターにおいて、BSC500N20NS3Gは200Vのドレイン・ソース間耐圧(Vdss)と24Aの連続ドレイン電流(Id)能力を有し、パワーMOSFETの中高電圧クラス製品に分類されます。導通抵抗(RDS(on))は42mΩ(典型値)と極めて低く、この低導通特性により伝導損失において優れた性能を発揮します。デバイスは±20Vのゲートソース電圧(Vgs)に対応し、ゲートしきい値電圧(Vgs(th))は2Vで、多様な駆動回路設計に適しています。スイッチング性能において、このMOSFETは20nCのゲート電荷(Qg)と極めて低いゲート・ドレイン電荷(Qgd)を特徴とし、7nsの下降時間と5nsの上昇時間を組み合わせることで、効率的なスイッチング性能を実現しています。


熱性能の観点から、BSC500N20NS3Gの電力消費量(Pd)は最大96Wに達し、動作温度範囲は広範囲(-55°Cから+150°C)で、さまざまな環境条件下での応用に適しています。採用するTDSON-8パッケージ(PG-TDSON-8とも呼ばれる)はコンパクトなサイズ(5.9mm×5.15mm×1.27mm)で、PCBスペースの節約と放熱性能の最適化を実現しています。このパッケージ形式は表面実装(SMD/SMT)に対応し、自動化生産に最適化されています。また、Cut Tape、MouseReel、Reelなど多様な包装オプションを提供し、異なる生産規模のニーズに対応可能です。


インフィニオンOptiMOS™ 3技術の核心的な優位性はBSC500N20NS3Gで十分に発揮されています:

業界トップクラスのRDS(on):溝型ゲート構造の最適化により、極めて低い導通抵抗を実現

最低のQgとQgd:駆動損失を削減し、スイッチング周波数のポテンシャルを向上

世界最高のFOM(優位係数):導通損失とスイッチング損失を総合的に考慮した性能指標

RoHS準拠でハロゲンフリー:環境基準を満たし、MSL 1級湿度感度等級


【仕様】

トランジスタ極性:Nチャネル

チャネル数:1チャネル

Vds - 漏極-ソース間 breakdown 電圧:200 V

Id - 持続漏極電流:24 A

Rds On - 漏極-ソース間抵抗:42 mΩ

Vgs - ゲート-ソース間電圧:-20 V、+20 V

Vgs th - ゲート-ソース間しきい値電圧:2 V

Qg - ゲート電荷:20 nC

最低動作温度:-55°C

最高動作温度:+150°C

Pd - 電力消費:96 W

チャネルモード:エンハンスド型

構成:単チャネル

下降時間:7 ns

正方向クロスコンダクタンス - 最小値:19 S

高さ:1.27 mm

長さ:5.9 mm

製品タイプ:MOSFET

立ち上がり時間:5 ns

典型的な遮断遅延時間:28 ns

典型的な導通遅延時間:14 ns

幅:5.15 mm

単位重量:120.300 mg


【技術的優位性と性能分析】

低導通抵抗と高効率はBSC500N20NS3Gの最も顕著な技術的特徴です。このデバイスは25°Cの環境温度下で典型的なRDS(on)が42mΩであり、200V電圧クラスのMOSFETにおいてトップクラスの数値です。低導通抵抗は直接的に伝導損失の低減に結びつき、特に高電流アプリケーションにおいて顕著な効果を発揮します。例えば、24Aの定格電流下では、伝導損失はP=I²×R=24²×0.042≈24.2Wとなり、同類の競合製品に比べて15~20%低減されます。この高効率特性により、BSC500N20NS3Gは連続動作モードのアプリケーション、例えばモーター駆動や電源変換システムに特に適しています。


スイッチング性能面では、BSC500N20NS3Gは卓越した動的特性を見せます。総ゲート電荷(Qg)は20nCで、ゲート・ドレイン電荷(Qgd)は極めて低く、これによりデバイスは高速なスイッチング移行を実現します——上昇時間5ns、下降時間7ns。このような高速なスイッチング速度はスイッチング損失を大幅に低減し、特に高周波アプリケーションにおいて優位性を発揮します。典型なスイッチング遅延時間において、オン遅延(td(on))は14ns、オフ遅延(td(off))は28nsです。これらのパラメーターは、デバイスが数百kHzのスイッチング周波数でも効率的に動作することを保証します。同期整流や高周波DC-DCコンバーターを設計するエンジニアにとって、これらの特性はより小さな磁気部品とフィルタコンデンサを使用可能にし、システムサイズとコストを削減できます。


熱管理能力はBSC500N20NS3Gのもう一つの重要な優位性です。デバイスは最適化されたTDSON-8パッケージを採用し、優れた熱伝導経路を備えています。パッケージ底面の広大なドレインパッドはPCBに直接はんだ付け可能で、回路基板の銅層を放熱体として利用し、効率的な熱放散を実現します。実際の応用において、このパッケージ設計により、接合部から環境への熱抵抗(RθJA)が大幅に低減され、デバイスはより高い環境温度下での動作やより大きな電流の処理が可能になります。-55°Cから+150°Cの広範な動作温度範囲と組み合わせることで、BSC500N20NS3Gは工業用自動化機器や自動車電子システムなどの過酷な環境下での応用において非常に適しています。


【典型的な応用シーン】

BSC500N20NS3Gは、優れた電気特性と信頼性を備え、電力電子分野の多様な応用で広く採用されています。工業用電源から自動車システム、通信機器から消費者向け電子製品まで、この200V OptiMOS™ 3パワーMOSFETは効率的なソリューションを提供します。


同期整流応用はBSC500N20NS3Gの主要な応用分野です。現代のスイッチング電源(SMPS)において、特にAC-DC電源アダプターやサーバー電源では、同期整流技術が従来のショットキーダイオード整流に代わって採用され、効率が大幅に向上しています。BSC500N20NS3Gの低オン抵抗(42mΩ)と高速ボディダイオード特性により、二次側同期整流の理想的な選択肢となっています。実際の設計では、このMOSFETはUCC24612などの制御ICと組み合わせて使用でき、12V/20A出力の電源において92%を超える全体効率を実現し、ダイオード整流方式に比べて3~5ポイントの効率向上を実現します。高密度電源設計では、複数のBSC500N20NS3Gデバイスを並列接続することで、大電流要件を満たしつつ低温上昇を維持できます。


48V-110Vシステムのモーター制御は、もう一つの重要な応用分野です。産業自動化の進展に伴い、48V BLDCモーターはロボット、AGV、電動工具などでの採用が拡大しています。BSC500N20NS3Gの200V耐圧は48Vシステムに十分な電圧余裕を提供し、その高速スイッチング特性は高PWM周波数(通常50~100kHz)をサポートし、より滑らかなモーター制御と低いトルクパルスを実現します。典型的な3相ブラシレスモータードライバーでは、6つのBSC500N20NS3Gがフルブリッジインバーターを構成し、ゲートドライバー(例:IR2106S)と組み合わせて最大2kWのモーター負荷を駆動可能です。このMOSFETの低Qg特性により、シンプルなブートストラップ回路による電源供給が可能となり、絶縁電源設計が簡素化されます。


絶縁型DC-DCコンバーター分野において、BSC500N20NS3Gは優れた性能を発揮します。このようなコンバーターは、通信機器、産業用制御システム、医療機器などに広く採用され、入力と出力間の電気的絶縁を提供します。LLC共振コンバータートポロジーにおいて、BSC500N20NS3Gの高速ボディダイオードと低出力容量(Coss)特性はスイッチング損失を大幅に低減し、コンバーターを200~400kHzの高周波数で動作させ、トランスとフィルタ部品のサイズを大幅に縮小します。100~300Wの中出力絶縁DC-DCモジュールにおいて、このMOSFETを使用することで94%を超えるピーク効率を実現し、80Plusチタン規格の要件を満たします。


無停電電源装置(UPS)システムもBSC500N20NS3Gの高性能から恩恵を受けています。オンライン式UPSのインバーター段では、電力網の停電時に重要な負荷に純粋な交流電源を供給するため、高効率で信頼性の高いパワースイッチが必要です。BSC500N20NS3Gは1~3kVAのUPSのインバーターブリッジアームに採用され、200Vの耐圧は170Vpkの交流出力に対応可能で、低導通抵抗によりバッテリー放電時のエネルギー損失を削減し、予備時間を延長します。従来のIGBTソリューションと比較して、BSC500N20NS3Gを採用したUPSインバーターは2~3%の効率向上を実現し、同時に放熱要件を低減します。


その他の応用例:

HIDランプ用電子安定器:高速スイッチング特性により高周波駆動を実現し、目に見えるちらつきを消除

Dクラスオーディオアンプ:高PWM周波数に対応し、THDを低減し、音質を向上

LED照明電源:定電流駆動回路に使用され、エネルギー効率と信頼性を向上

電動自転車コントローラー:48Vシステムで高効率な電力変換を提供し、バッテリーの航続距離を延長


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