Nexperiaは、成長を続けるパワーエレクトロニクスの製品ポートフォリオに、1200 V、20 A炭化ケイ素(SiC)ショートキー・ダイオードの2機種を追加したと発表しました。PSC20120JとPSC20120Lは、工業用途における超低電力整流器の需要を満たすために設計されており、エネルギ…
Nexperiaは、成長を続けるパワーエレクトロニクスの製品ポートフォリオに、1200 V、20 A炭化ケイ素(SiC)ショートキー・ダイオードの2機種を追加したと発表しました。PSC20120JとPSC20120Lは、工業用途における超低電力整流器の需要を満たすために設計されており、エネルギー効率の高いエネルギー変換シーンで重要な役割を果たすことができます。このようなデバイスは、特に高出力人工知能(AI)サーバーインフラや電気通信設備の電源、ソーラーインバータなどに適しています。
新しいショットキーダイオードは、温度の影響を受けない許容スイッチとゼロ回復性能を備え、高度な性能と優れた品質ファクタ(QC x VF)を提供します。また、スイッチング性能は電流やスイッチング速度の変化にほとんど影響されません。結合PiNショットキー(MPS)構造は、IFSM(ピーク値順方向電流)で優れたサージ電流耐性を示すなど、より多くの利点をもたらします。この特性により、追加の保護回路の必要性が減少し、システムの複雑さが著しく低減され、技術者は高電圧アプリケーションにおいて、より小さいサイズでより高い効率を達成することができます。
PSC20120Jは真2ピンD2PAK R2P (to-263-2)表面実装(SMD)パワープラスチックパッケージ、PSC20120Lは真2ピンTO247 R2P (to-247-2)パスホールパワープラスチックパッケージを採用しています。これらの熱安定パッケージは、175℃までの動作温度で高電圧アプリケーションでのデバイスの信頼性を高めることができます。高品質半導体製品の成熟したメーカーとして、Nexperiaは強力なサプライチェーンにサポートされた様々な半導体技術で市場の信頼を得ており、これにより設計者にさらなる保証を提供しています。
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