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Qorvoの窒化ガリウム製品の回収：窒化ガリウムRFトランジスタ、窒化ガリウムスイッチ、窒化ガリウムパワーアンプ、窒化ガリウムフロントエンドモジュール

深圳明佳達電子有限公司は、中国でトップクラスの電子部品リサイクルサービスプロバイダーであり、各種電子部品製品の専門的なリサイクルサービスを提供し、顧客に効率的かつ安全で規格に準拠した在庫管理ソリューションを提供しています。

回収対象製品の種類：集積回路チップ、5Gチップ、新エネルギーIC、IoT IC、Bluetooth IC、車載用IC、車載規格対応IC、通信IC、人工知能ICなど。さらに、メモリIC、センサーIC、マイクロコントローラーIC、トランシーバーIC、イーサネットIC、Wi-Fiチップ、無線通信モジュール、コネクタなどの電子部品も取り扱っています。

回収詳細：

1、電子材料/滞留在庫/工場在庫/電子在庫/個人在庫などの回収。

2、豊富な資金力と回収経験を有し、迅速な訪問回収が可能です。

3、多様な在庫処理ソリューションを提供し、一括購入や委託販売など、お客様のニーズに合わせた選択肢をご用意しています。

4、信頼性と約束の履行を重視し、専門的で便利なサービスを提供。回収価格は適正です。

窒化ガリウムRFトランジスタ

Qorvoの窒化ガリウムRFトランジスタは、先進的な炭化ケイ素基板GaN-on-SiC技術を採用し、GaN材料の高電子移動度とSiC基板の優れた熱伝導性能を組み合わせ、高周波・高出力アプリケーションにおいて卓越した性能を発揮します。これらのデバイスは通常、LバンドからKaバンド（1-40GHz）の周波数帯域をカバーし、出力電力は数百ワットに達し、電力追加効率（PAE）は60％を超え、従来のシリコンベースのLDMOSデバイスを大幅に上回ります。

QorvoのGaN RFトランジスタには以下の製品が含まれます：

大電力GaNスイッチ：相控配列レーダーシステムや電子戦装置向けに、ナノ秒級のスイッチング速度と極めて高い電力耐性を備えています。例えばQorvoのQPD1000シリーズGaNスイッチは、革新的な無はんだ封止技術を採用し、Xバンドで100Wを超えるピーク出力を処理可能で、挿入損失は0.5dB未満、隔離度は35dBを超えます。

RFパワートランジスタ：5G Massive MIMO基地局や衛星通信地上局向けに、高い線形性と優れた熱安定性を提供します。代表的な例として、QorvoのQPA2211 GaNパワートランジスタは、2.6GHz帯で20Wの連続波出力パワーを提供し、パワーゲインは16dBに達し、大規模アレイアプリケーションに適しています。

窒化ガリウムパワーアンプ

窒化ガリウムパワーアンプはQorvoのRF製品ラインにおける核心製品カテゴリーであり、5G基地局、マイクロ波バックホール、レーダー、電子戦システムなどに広く採用されています。従来のソリューションと比較して、GaN PAはより広い帯域幅、高い効率、コンパクトなサイズを実現し、システム消費電力と運用コストを大幅に削減できます。

Qorvo GaNパワーアンプのタイプには以下のものがあります：

広帯域パワーアンプ：複数の倍周波数帯域をカバーし、電子戦や多機能レーダーシステムに最適です。例えば、Qorvo QPA1022 GaN PAは2-18GHzの周波数範囲で10Wの飽和出力パワーを提供し、パワー追加効率は30%を超え、7x7mmの表面実装パッケージを採用し、システム統合が容易です。

高線形度PA：5G NR規格に最適化され、厳格なACPRとEVM要件を満たします。QorvoのQPA4501 GaN PAは3.5GHz帯域向けに設計され、100MHzの瞬間帯域幅で50Wのピーク出力を提供し、誤差ベクトル振幅（EVM）は1.5%未満で、大規模MIMOアンテナユニットに最適です。

ミリ波フロントエンドモジュール：GaN PA、低ノイズアンプ（LNA）、スイッチを統合し、動作周波数はQバンド（30-50GHz）まで拡張されています。例えば、5G FWA（固定無線アクセス）端末向けのQorvo QPF7250フロントエンドモジュールは、高効率GaN PAと広帯域LNAを内蔵し、24-30GHz周波数帯域をサポートし、出力電力27dBm、ノイズ係数3dB未満を実現しています。

窒化ガリウム前端モジュール

窒化ガリウム前端モジュールは、Qorvoのシステムレベル統合における技術的突破口を象徴し、GaNパワーアンプ、低ノイズアンプ、スイッチ、フィルター、制御回路を単一パッケージ内に統合し、RFシステム設計を大幅に簡素化します。このような高度に統合されたソリューションは、5Gスマートフォン、小型基地局、IoTデバイスへの採用が加速しています。

Qorvo GaNフロントエンドモジュールには以下の製品が含まれます：

5Gミリ波FEM：n257/n258/n260などの5Gミリ波周波数帯をサポートし、通常はAiP（Antenna in Package）技術を採用してコンパクトな設計を実現しています。例えば、Qorvo QPM2630ミリ波フロントエンドモジュールは、2つの送信チャネルと1つの受信チャネルを統合し、24-30GHzの周波数帯域をカバー。各TXチャネルの出力電力は18dBmに達し、スマートフォンやCPEデバイスに最適です。

Wi-Fi 6/6Eフロントエンドモジュール：GaN技術と高度なフィルタリングを組み合わせ、高スループット要件を満たします。Qorvo QPF4526 FEMは2.4GHzと5GHzのデュアルバンドに対応し、PA、LNA、スイッチを統合し、出力電力は22dBmに達します。MCS11レートでのEVMは-35dB未満で、ハイエンドルーターやエンタープライズ向けAPの理想的な選択肢です。

防衛・航空宇宙グレードのFEM：過酷な環境での信頼性要件を満たし、衛星通信や軍事用無線機に広く採用されています。これらの製品は特殊なパッケージングと選別プロセスを採用しており、例えばQorvoの航空宇宙グレードGaN FEMは、動作温度範囲が-55°Cから+125°Cで、放射線耐性が優れています。

窒化ガリウムスイッチデバイス

窒化ガリウムスイッチデバイスは、RF信号のルーティングとアンテナチューニングにおいて重要な役割を果たします。Qorvoは革新的なSOI（絶縁体上シリコン）とGaN技術を組み合わせ、高性能なスイッチソリューションシリーズを開発しています。

QorvoのGaNスイッチ製品には主に以下のものが含まれます：

アンテナスイッチモジュール（ASM）：複数のRFスイッチ、フィルター、制御ロジックを統合し、モバイルデバイス向けの完全なRFフロントエンドソリューションを提供します。QorvoのGaN ASM製品は、低挿入損失（<1dB典型値）、高隔離度（>30dB）、優れた線形度（IP3>60dBm）を特徴とし、スペースが限られた5GスマートフォンやIoTデバイスに最適です。

分離型GaNスイッチ：SPDT（単刀双投）、SP4T（単刀四投）、MPMT（多刀多投）など多様な構成を提供し、設計の柔軟性を高めます。QorvoのGaN分離型スイッチは、直流から6GHzまでの周波数範囲をカバーし、先進のpHEMTプロセスで製造されています。高速スイッチング（<50ns）、低消費電力（<1μA待機電流）、優れたESD保護（>1kV HBM）などの特徴を備えています。

ダイバーシティスイッチ：極めて低い挿入損失と優れた隔離性能を備え、無線システムの受信感度とスループットを大幅に向上させます。QorvoのGaNダイバーシティスイッチは、5G小型基地局、Wi-Fi 6/7ルーター、車載通信システムなどに広く採用され、キャリアアグリゲーションとMIMO技術をサポートしています。