AIの計算能力需要が爆発的に増加する中、データセンターの電源システムは前例のない課題に直面しています。2025年5月、ナミ・セミコンダクターは、超大規模AIデータセンター向けに設計された最新12kW量産電源の参考設計を発表しました。この設計は、電力密度120kWの高出力…
AIの計算能力需要が爆発的に増加する中、データセンターの電源システムは前例のない課題に直面しています。2025年5月、ナミ・セミコンダクターは、超大規模AIデータセンター向けに設計された最新12kW量産電源の参考設計を発表しました。この設計は、電力密度120kWの高出力サーバーラックに対応可能です。
この製品の特長は、12kW電源がORv3規格およびオープンコンピューティングプロジェクト（OCP）標準に準拠し、第3世代の高速カーボンシリコンMOSFETと新型IntelliWeaveデジタル技術を採用している点です。さらに、三相交錯TP-PFCとFB-LLCトポロジー構造に配置された高出力GaNSafe窒化ガリウムパワーチップにより、極限の部品配置で最高効率と性能を実現しています。
技術的なポイントとして、ナミの12kW電源に採用された三相交錯TP-PFCトポロジーは、第3世代の高速カーボンシリコンMOSFET（溝型平面ゲート技術を採用）で駆動されています。三相交錯FB-LLCトポロジーは、ナミセミコンダクターの高出力フラッグシップである第4世代GaNSafe窒化ガリウムパワーチップで駆動され、制御、駆動、センシング、および重要な保護機能を統合し、高出力アプリケーションにおいて前例のない信頼性と堅牢性を実現しています。
この電源の寸法は790×73.5×40mmで、入力電圧範囲は180–305VAC、出力最大電圧は50VDCです。入力電圧が207VACを超える場合、12kWの出力を提供し、その閾値未満の場合は10kWを出力します。アクティブ電流均等化機能と過電流、過電圧、低電圧、過熱保護メカニズムを装備し、-5℃から45℃の温度範囲で正常に動作します。12kW負荷時、保持時間は20msで、サージ電流は定常電流の3倍（持続時間<20ms）です。内部ファンによる冷却を採用しています。
NVIDIAが発表した次世代800V HVDCアーキテクチャは、将来のAI計算負荷向けに効率的で拡張可能な電力伝送能力を提供し、より高い信頼性、より優れた効率、およびインフラ設計の簡素化を実現することを目的としています。NVIDIAは次世代800V HVDCアーキテクチャにおいて、ナミセミコンダクターのGaNFast窒化ガリウムとGeneSiC炭化ケイ素技術を採用して開発しています。
二次側DC-DC変換分野において、ナミセミコンダクターは80-120Vの中圧窒化ガリウムパワーデバイスを発売し、AIデータセンターの電源として48V-54Vの出力を最適化設計。高速、高効率、低基板面積の電力変換を実現します。
今後の展望
ナミは2026年に高出力ソリューションをリリースし、NVIDIAと協力して800V HVDCアーキテクチャを推進し、AIデータセンターのエネルギー効率をさらに最適化します。
この12kW電源のリリースは、GaN+SiC混合設計が次世代AI電源の核心技術として正式に確立されたことを示し、グローバルな計算インフラに効率的で信頼性の高い電力供給を提供します。
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