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ADI HMC431LP4ETR GaAs/InGaP HPT MMIC電圧制御発振器、バッファアンプ内蔵

ADI HMC431LP4ETR GaAs/InGaP HPT MMIC電圧制御発振器、バッファアンプ内蔵

ソース:このサイト時間:2025-07-09ブラウズ数:

ADI HMC431LP4ETR GaAs/InGaP HPT MMIC電圧制御発振器、バッファアンプ内蔵深圳市明佳達電子有限公司は、世界有数の電子部品販売代理店として、ADIの高性能RF製品であるHMC431LP4ETRを専門に供給しています。この製品は、ガリウムヒ素/インジウムガリウムヒ素(GaAs InGa…

ADI HMC431LP4ETR GaAs/InGaP HPT MMIC電圧制御発振器、バッファアンプ内蔵


深圳市明佳達電子有限公司は、世界有数の電子部品販売代理店として、ADIの高性能RF製品であるHMC431LP4ETRを専門に供給しています。この製品は、ガリウムヒ素/インジウムガリウムヒ素(GaAs InGaP)異種接合バイポーラトランジスタ(HBT)技術を採用した単一チップマイクロ波集積回路(MMIC)電圧制御発振器(VCO)です。HMC431LP4ETRは、共振器、負抵抗素子、変容ダイオード、およびバッファアンプを統合し、5.5-6.1GHzの高周波アプリケーション向けに設計されており、無線通信、衛星通信、軍事電子機器など幅広い分野で活用されています。


HMC431LP4ETRの製品概要

HMC431LP4ETRは、先進のGaAs InGaP HBT(異種接合バイポーラトランジスタ)MMIC技術を採用した高性能電圧制御発振器です。HMC431LP4ETRは、共振器、負抵抗素子、可変容量ダイオード、バッファアンプを単一チップ構造に統合し、優れた位相ノイズ性能と温度安定性を実現しています。


RFおよびマイクロ波応用分野において、VCO(電圧制御発振器)は周波数合成、変調/復調、信号生成の重要なコンポーネントです。HMC431LP4ETRは、卓越した性能パラメーターとコンパクトなパッケージ形式を特徴とし、Cバンド(5.5-6.1GHz)応用における理想的な選択肢です。


HMC431LP4ETRの技術特性詳細

HMC431LP4ETRは高性能VCO発振器として、複数の先進技術と革新的な設計を統合し、5.5-6.1GHz周波数帯域内で卓越したRF性能を発揮します。HMC431LP4ETRは、ガリウムヒ素/インジウムガリウムヒ素(GaAs InGaP)ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)プロセスで製造されており、この材料の組み合わせは高い電子移動度、優れた breakdown 電圧、および優れた熱安定性を備えており、高周波・高出力アプリケーションに最適です。


HMC431LP4ETRの主要な性能パラメーター

周波数範囲:5.5GHzから6.1GHz、Cバンド通信アプリケーションの主要な周波数帯域をカバー

出力電力:典型値+2dBm、後続回路を駆動するための十分な信号強度を提供

位相ノイズ:100kHzオフセットで-102dBc/Hzを達成し、信号の純度とシステムSNRを保証

電源電圧:単一電源供給、動作範囲2.75Vから3.25V、典型値は3V

動作電流:典型値27mA(最大値34mA)、優れた消費電力性能

チューニング電圧範囲:0VDCから10VDC、広範囲の周波数制御能力を提供

モジュレーション感度:12MHz/V、精密な周波数調整を実現


パッケージと構造の特徴

HMC431LP4ETRはQFN-24パッケージ(具体的には24-VFQFN Exposed Pad)を採用し、外形寸法は4×4mmで、リードレス表面実装パッケージです。このパッケージ形式には以下の利点があります:


小型化設計:16mm²のコンパクトな寸法(4.1mm × 4.1mm × 1.0mm)によりPCBスペースを節約し、高密度集積に適しています

優れた放熱性能:露出パッド(Exposed Pad)設計により熱伝導が向上し、デバイスの信頼性が向上します

低コストソリューション:伝統的な金属パッケージVCOと比較して、QFNパッケージはシステムコストを大幅に削減します

自動化生産に適した設計:表面実装技術(SMT)との互換性により、大規模製造が容易


HMC431LP4ETRの単一チップ構造(MMIC)は、もう一つの技術的特徴である。従来の分立部品で構成されるVCOとは異なり、HMC431LP4ETRは共振器、負抵抗素子、変容ダイオード、バッファアンプを含むすべての主要な機能モジュールを単一のチップに統合している。この設計は複数の利点をもたらします:


信頼性の向上:外部接続と部品の数を削減し、故障率を低減

安定性の向上:温度変化(-40°Cから+85°C)、機械的衝撃、振動条件下でも一貫した性能を維持

設計の簡素化:外部共振器が不要となり、周辺回路の複雑さを軽減

性能の最適化:チップ上の統合により寄生効果を低減し、位相ノイズなどの重要なパラメーターを改善


HMC431LP4ETRの典型的な応用分野

HMC431LP4ETRは、卓越した高周波性能と安定した出力特性により、複数のハイテク分野で広く応用されています。HMC431LP4ETRは、Cバンド(5.5-6.1GHz)専用に設計された電圧制御発振器として、現代の無線通信、衛星システム、専門RF機器において重要な役割を果たしています。


無線LAN(WLAN)応用

HMC431LP4ETRは、802.11aやHiperLANなど5GHz帯のWLANシステムに最適な選択です。これらの応用において、VCOはRFフロントエンドの核心部品として、その性能がシステムの通信品質と安定性に直接影響を与えます:


アクセスポイント装置:基地局に安定した基準発振信号を提供し、データ伝送の信頼性を確保

クライアント装置:ノートパソコン、タブレットなどモバイル端末での高周波信号生成を実現

メッシュネットワークノード:高周波帯域Wi-Fiメッシュネットワーク展開をサポートし、カバー範囲を拡大

高性能ルーター:802.11ac/axなど高速プロトコルに対する信号純度の厳格な要件を満たす


このVCOの-102dBc/Hzの位相ノイズ特性は、高密度展開シナリオにおいて特に有利で、隣接チャネル干渉を軽減し、ネットワーク容量を向上させます。


衛星通信とVSATシステム

VSAT(甚小孔径端末)無線機器において、HMC431LP4ETRは優れた性能を発揮します。衛星通信システムは周波数源の安定性と位相ノイズに対して極めて高い要求を課しますが、このVCOはこれらの厳しい条件を完全に満たします:


遠隔地上局:衛星の上り/下りリンクに安定したローカル発振信号を提供

海上通信システム:船舶などの移動プラットフォームで信頼性の高い衛星接続を維持

緊急通信装置:災害時でも重要な通信を中断させない

軍事衛星端末:軍事通信装置の信頼性と環境適応性要件を満たす


このデバイスの単一チップ構造は、衛星応用で一般的な温度変動、機械的衝撃、振動に耐え、長期的な安定動作を保証します。


ポイントツーポイントマイクロ波通信

HMC431LP4ETRはUNII(国家情報インフラストラクチャ)周波数帯域およびポイントツーポイントマイクロ波無線システムに対応しています。これらのシステムは通常、以下の用途に利用されます:


都市無線バックボーンネットワーク:光ファイバーの代替として、高速データリンクを迅速に展開

セルラーバックホール:基地局とコアネットワークを接続し、5Gネットワーク展開をサポート

企業専用ネットワーク:金融機関や大手企業向けに安全で信頼性の高い専用接続を提供

遠隔監視システム:油田や電力など産業現場での監視データ伝送


このVCOの広範なチューニング範囲(5.5-6.1GHz)と12MHz/Vの調製感度により、異なる地域の周波数帯計画や要件に柔軟に対応可能です。


その他の専門RFアプリケーション

上記主要な応用分野に加え、HMC431LP4ETRは多様な専門RFシステムにも適用可能です:


レーダーシステム:短距離レーダーや運動検出用の周波数源として使用

テスト測定機器:スペクトラムアナライザやネットワークアナライザなどに高純度の基準信号を提供

電子戦システム:軍事用電子対抗装置で干渉信号を生成

医療RF機器:高級医療画像診断や治療装置に使用


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