ADI HMC521ALC4TR 8.5 GHz~13.5 GHz ガリウムヒ素(GaAs)MMIC I/Q ミキサー深セン明佳達電子有限公司は、国内および国際市場において電子部品の主要な販売代理店として、HMC521ALC4TR 8.5 GHz~13.5 GHz ガリウムヒ素(GaAs)MMIC I/Q ミキサーを在庫で取り扱っています…
ADI HMC521ALC4TR 8.5 GHz~13.5 GHz ガリウムヒ素(GaAs)MMIC I/Q ミキサー
深セン明佳達電子有限公司は、国内および国際市場において電子部品の主要な販売代理店として、HMC521ALC4TR 8.5 GHz~13.5 GHz ガリウムヒ素(GaAs)MMIC I/Q ミキサーを在庫で取り扱っています。
製品概要と技術仕様
HMC521ALC4TRは、位相差四象限(I/Q)ミキサー設計を採用したコンパクトなガリウムヒ素(GaAs)モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)で、RoHS準拠の24ピンセラミックリードレスチップキャリア(LCC)パッケージに封入されています。HMC521ALC4TRデバイスは、画像抑制ミキサーまたは単側波帯アップコンバーターとして使用可能です。HMC521ALC4TRミキサーは、2つの標準的なデュアルバランスドミキサーユニットと90°ミキシングクーラーを組み込み、すべてGaAs金属酸化物半導体フィールド効果トランジスタ(MESFET)技術で製造されています。HMC521ALC4TRデバイスは、ハイブリッド画像抑制ミキサーや単側波帯アップコンバーターよりもコンパクトな代替案を提供します。HMC521ALC4TRはワイヤボンディングの必要性を排除し、表面実装製造技術を実現します。
HMC521ALC4TRの主要な技術仕様:
周波数範囲:8.5 GHzから13.5 GHz
変換損失:典型値9 dB
画像抑制:典型値27.5 dBc
LOとRFの隔離:典型値39 dB
入力IP3: 典型値 16 dBm
IF帯域幅: DCから3.5 GHz
パッケージサイズ: 3.9 mm × 3.9 mm (16 mm²) LCC-24パッケージ
HMC521ALC4TRの製品特徴とアーキテクチャ上の利点
HMC521ALC4TRはガリウムヒ素金属半導体フィールド効果トランジスタ(MESFET)技術を採用し、2つの標準デュアルバランスドミキサーユニットと90°ハイブリッドクーラーを統合しています。この革新的な設計は、以下の重要な利点を提供します:
多機能アプリケーション:HMC521ALC4TRは、画像抑制ミキサーとシングルサイドバンドアップコンバーターの両方の機能を果たすことができ、システム設計における高い柔軟性を提供します。
コンパクト設計:HMC521ALC4TRは小型化されており、従来のハイブリッド画像抑制ミキサーやシングルサイドバンドアップコンバーター部品を置き換えることが可能で、スペース制約のあるアプリケーションに特に適しています。
表面実装対応:HMC521ALC4TRは配線不要で、表面実装技術(SMT)で直接製造可能であり、製造プロセスを簡素化し信頼性を向上させます。
高性能指標:HMC521ALC4TRは優れた画像抑制能力(27.5 dBc)とLO/RF隔離(39 dB)を提供し、システム信号処理の純度と安定性を確保します。
HMC521ALC4TRの典型的な応用分野
マイクロ波および超小型開口端末(VSAT)無線機器:衛星通信システムにおいて安定した周波数変換機能を提供します。
テストおよび測定機器:高周波テスト機器向けに精密な信号処理機能を提供します。
軍事電子システム:
電子戦(EW)装置
電子対抗措置(ECM)システム
指揮、制御、通信、情報(C3I)システム
5G通信インフラ:5Gチップおよび通信IC製品ラインの重要な構成要素です。
航空宇宙システム:レーダーやナビゲーションなどの重要なシステムにおいて、重要な役割を果たします。
連絡先電話:86-755-83294757
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