ADI HMC517LC4TR 高ダイナミックレンジ ガリウムヒ素 pHEMT MMIC 低ノイズアンプ深圳市明佳達電子有限公司は、世界有数の電子部品販売代理店として、ADIのHMC517LC4TR高ダイナミックレンジガリウムヒ素pHEMT MMIC低ノイズアンプを長期にわたり供給しています。この高性能…
ADI HMC517LC4TR 高ダイナミックレンジ ガリウムヒ素 pHEMT MMIC 低ノイズアンプ
深圳市明佳達電子有限公司は、世界有数の電子部品販売代理店として、ADIのHMC517LC4TR高ダイナミックレンジガリウムヒ素pHEMT MMIC低ノイズアンプを長期にわたり供給しています。この高性能RFデバイスは、17-26GHz周波数帯域において卓越した電気的特性を発揮し、ポイントツーポイント無線、VSATシステム、テスト機器など、ハイエンド分野で広く採用されています。
HMC517LC4TR製品概要と技術仕様:
HMC517LC4TRは、高ダイナミックレンジガリウムヒ素擬似結晶高電子移動度トランジスタ(pHEMT)単一マイクロ波集積回路(MMIC)低ノイズアンプです。この製品はRoHS規格に準拠した鉛フリー表面実装技術(SMT)パッケージを採用し、動作周波数は17GHzから26GHzをカバーするKaバンドマイクロ波デバイスです。衛星通信、5Gミリ波、レーダーシステムなどにおいて重要な応用価値を有しています。
パッケージ形式において、HMC517LC4TRはLGA-24パッケージを採用し、サイズは4×4ミリメートルで、現代の電子機器の小型化・高集積化設計トレンドに適合しています。このパッケージは優れた熱性能を有し、放熱管理に有利なだけでなく、大量生産用の表面実装製造技術と互換性があり、製造プロセスを大幅に簡素化します。
HMC517LC4TRの主な技術仕様は以下の通りです:
動作周波数範囲:17GHzから26GHz、Kaバンドをカバー
小信号利得:19dB(典型値)、安定した信号増幅能力を提供
ノイズ係数:2.5dB、同類製品中で優れた性能を発揮
出力3次交調点(OIP3):+23dBm、優れた線形性能を示します
1dB圧縮点出力電力(P1dB):+13dBm、十分な出力電力余量を確保
動作電圧:単一電源+3Vで動作、システム電源設計を簡素化
動作電流:67mA、消費電力の制御が適切
HMC517LC4TRの顕著な設計上の利点は、完全に統合された50オームマッチングネットワークです。これにより、エンジニアは当該デバイスを適用する際、複雑なインピーダンスマッチング回路の追加設計や外部部品の必要がなく、RFシステム設計プロセスを大幅に簡素化し、開発の難易度とBOMコストを低減します。入力および出力ポートは標準の50Ω設計を採用しており、システム統合をさらに容易にします。
HMC517LC4TRの性能特徴と設計上の利点:
HMC517LC4TRは、ガリウムヒ素pHEMTプロセスに基づくMMIC低ノイズアンプとして、RF性能、統合度、信頼性において複数の利点を備え、高周波アプリケーションにおける理想的な選択です。
広帯域性能は、このアンプの主要な特徴の一つです。17GHzから26GHzの連続動作周波数帯域は、Kaバンドの重要なRF周波数帯域をカバーしています。この広帯域特性により、単一のデバイスで多様なアプリケーション要件を満たすことができ、システム設計における周波数帯域切り替えの複雑さを大幅に削減し、材料管理と在庫コストも低減します。
ノイズ性能面では、HMC517LC4TRは2.5dBのノイズ係数を提供し、これはKaバンドアンプにおいて極めて低いレベルです。低ノイズ特性により、受信機の前段第一級増幅器として特に適しており、システムノイズ係数を最大限に低減し、受信感度を向上させます。従来のシリコンベースの増幅器と比較して、ガリウムヒ素pHEMT技術を採用したこのデバイスは、ノイズ性能、周波数特性、温度安定性において明らかな優位性を示します。
高線形性はHMC517LC4TRのもう一つの大きな特長です。+23dBmの出力3次交調点(OIP3)と+13dBmの1dB圧縮点出力電力により、高ダイナミックレンジ信号を処理しても明らかな交調歪みを発生させません。この特性により、低ノイズアンプとしてだけでなく、バランス、I/Q、または画像抑制混信器のLO(ローカルオシレーター)ドライバーとしても使用可能です。
システム統合の利便性において、完全統合された50オームの入力/出力マッチングにより、外部マッチングネットワークの設計の手間を省略できます。表面実装パッケージ(SMT)は現代のPCB組立プロセスと完全に互換性があります。これらの特性により、このデバイスは「プラグアンドプレイ」のRFソリューションとして機能し、製品開発サイクルを大幅に短縮します。
信頼性面では、ガリウムヒ素pHEMT技術自体が高温動作能力と優れた耐放射線性能を備えており、ADIの厳格な品質管理システムにより、HMC517LC4TRは過酷な環境下でも安定した動作を保証します。
HMC517LC4TRの典型的な応用分野:
ポイントツーポイント無線通信は、このアンプの主要な応用シーンの一つです。マイクロ波リンクシステムにおいて、HMC517LC4TRはRFフロントエンドの低ノイズアンプとしてよく使用されます。その広帯域特性は、多周波数帯域で動作するマイクロ波通信システムに特に適しており、低ノイズ係数はシステムの高い受信感度を確保します。19dBの利得は、伝送経路の損失を効果的に補償し、システム全体の信号対雑音比を向上させます。
衛星通信システム、特にVSAT(甚小孔径端末)装置は、このアンプのもう一つの重要な応用分野です。Kaバンド(26.5-40GHz)の衛星通信において、HMC517LC4TRは下変調器前の低ノイズ増幅段として使用でき、その安定した性能とコンパクトなパッケージは、スペースが限られたVSAT端末装置に特に適しています。2.5dBのノイズ係数は衛星受信システムにおいて特に重要で、これは全体のリンクのG/T値(品質係数)に直接影響を与えるからです。
テスト測定機器においてもHMC517LC4TRの需要は継続しています。マイクロ波信号源やスペクトラムアナライザなどの機器において、このアンプは信号調整モジュールとして機能し、必要な利得と低ノイズ特性を提供します。17~26GHzの広帯域カバーにより、テストシステムで必要なアンプの数を削減し、機器設計を簡素化できます。
軍事用電子システムもHMC517LC4TRの重要な市場です。電子戦(EW)や電子対抗(ECM)装置において、このアンプは受信機の前段や干渉信号生成回路に用いられます。広帯域特性により、多様な脅威周波数をカバーでき、ガリウムヒ素プロセス固有の耐放射線性は、過酷な電磁環境下での信頼性を向上させます。
さらに、HMC517LC4TRはミキサーのローカルオシレーター(LO)ドライバーとして非常に適しています。超外差受信機アーキテクチャにおいて、ミキサーのLOポートを駆動するには、良好な変換効率を確保するための十分な出力電力と、システムノイズ性能を悪化させないための低位相ノイズが求められます。このアンプの高線形性と適度な出力レベルは、LOドライバーとしての理想的な選択です。
5Gミリ波通信は、HMC517LC4TRの潜在的な新興応用分野です。5Gがより高い周波数帯へ拡張される中、24GHzから40GHzの周波数帯が5Gミリ波通信に利用されます。HMC517LC4TRの17-26GHzの動作範囲は、これらのシステムの中間周波数処理部分をサポート可能です。
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