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深圳市明佳達電子有限会社
モデル

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サービス電話:86-755-83294757

製品分類

集積回路（IC）

イーサネット ビデオアンプ CANトランシーバー サーバー管理プロセッサー 高帯域幅バススイッチ 差動増幅器 アナログクロスポイントスイッチ HDMIトランスミッター レーザードライバー アナログスイッチIC 超音波レシーバ マルチプレクサとデマルチプレクサ ビデオプロセッサ ビデオエンコーダー インターフェース - シリアルデジタルインターフェース (SDI) IC AIチップ インターフェース - リタイマー トランスインピーダンス増幅器 CXLニアメモリアクセラレータおよびメモリ拡張コントローラ アナログ乗算器 RS-422/RS-485インターフェースIC 絶縁型CANトランシーバー 計装アンプ PCI Expressスイッチ

IoT/IGBT モジュール

2Gモジュール 4Gモジュール 5Gモジュール IoTモジュール 新エネルギーモジュール 車両グレードのモジュール スマートモジュール メモリモジュール セルラーIoTモジュール 衛星通信モジュール GNSSモジュール LPWAモジュール IoTチップ

フィルター

バンド・ストップ・フィルター ローパスフィルター 帯域通過ろ波器 SAWフィルタ BAWフィルタ Wi-Fiフィルタ 2.4GHzWi-Fiバンドパスフィルタ アクティブフィルタ RFフィルター ハイパスフィルター 5GHz Wi-Fi バンドパスフィルター 6GHz Wi-Fiバンドパスフィルター

ワイヤレス接続

Wi-Fi 6 ブルートゥースIC Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 無線通信チップ 近距離無線通信（NFC） WiFi Bluetooth Wi-Fiチップ 超広帯域UWB IC GNSS受信機 Wi-Fi 4 WiFiモジュール 低消費電力のBluetooth Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 無線通信モジュール ワイヤレスNICチップ Bluetoothモジュール WiFiワイヤレスモジュール BluetoothオーディオSoC

AIプロセッサー・チップ

ディスクリート半導体

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル バイポーラ（BJT）トランジスタ 炭化ケイ素（SiC）JFET シリコンダイオード 電源モジュール ラジオ週波数トランジスタ パワーMOSFETモジュール 炭化ケイ素（SIC）FETモジュール 炭化ケイ素（SIC）FET PチャネルMOSFET トランジスタ - RF FET、MOSFET MOSFETモジュール サイリスター ダイオード・アレイ・モジュール MOSFETトランジスター NチャンネルMOSFET IGBTトランジスタ ダイオードと整流器 ショットキーダイオード、整流器 シングルツェナーダイオード バイポーラトランジスタアレイ パワードライバモジュール ダイオード - 整流器 - シングル トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

電源管理

窒化ガリウム（GaN）IC リニアレギュレータLDO AC-DCコントローラとレギュレータ DC-DC電源製品 電圧基準 バッテリ管理 昇圧コントローラー PoweroverEthernet（PoE）コントローラ

コネクタ

圧着コネクタ ニアスタック・コネクター ExtremePort Swift コネクタ Multi-Trak™ コネクタ VITA 67.3 コネクタ SpaceVPX VITA 78 コネクタ ExtremePort Z-Linkコネクタ Displayportコネクタ 磁気ジャック・コネクター SAS/PCIe 5.0コネクタ SAS/PCIe 4.0コネクタ ミニUSBコネクタ SFP112G コネクタ MiniSAS HDコネクタ OSFP-XD コネクタ DSFP コネクタ CXPコネクター QSFPコネクタ OSFP コネクタ SFPコネクタ CFP2コネクタ ミニクールエッジIOコネクタ SlimSAS™コネクター Mini-SAS高密度コネクタ

センサー

かそくどけい 磁気抵抗センサー 角度センサー ホール効果スイッチ 誘導形近接センサ対応 ホール効果ラッチとスイッチ バイオセンサー 飛行時間型センサー センサー信号コンディショナー 光センサー フローセンサー 基板実装湿度センサー バイオメトリック・センサ 速度センサー 湿度センサー ホール効菓電流センサ 超音波センサ 光センサー、フォトダイオード 湿度、水分センサー 光学検出器とセンサー-赤外線検出器 基板実装温度センサー ガスセンサー ポジションセンサー 産業用ミリ波レーダー・センサ

メモリー

NORフラッシュメモリー 不揮発性メモリ ランダムアクセスメモリRAM 静的ランダムアクセスメモリSRAM 同期ダイナミックランダムアクセスメモリSDRAM SSDコントローラ AIメモリ F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM ソリッド・ステート・ドライブ - SSD 標準シリアルEEPROM 車載グレードのシリアルEEPROM eMMC 擬似スタティックランダムアクセスメモリ（PSRAM） 消去可能なプログラマブルROM NANDフラッシュ ユニバーサル フラッシュ ストレージ - UFS ダイナミックランダムアクセスメモリDRAM メモリ-モジュール

抵抗器ネットワーク

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サムスン電子は1cナノメートルDRAMプロセス技術のボトルネックを突破し、間もなく量産を開始する

サムスン電子は1cナノメートルDRAMプロセス技術のボトルネックを突破し、間もなく量産を開始する

ソース:このサイト時間:2025-07-01ブラウズ数:

7月1日、韓国メディアのETNews、AJUNEWS、fnnewsの報道によると、サムスン電子は現地時間昨日午後、第6世代10nm級DRAMメモリプロセス「1cナノメートル」に対し、生産準備承認（PRA）を付与しました。これにより、サムスンは1cナノメートルメモリの開発を完了し、量産移行…

7月1日、韓国メディアのETNews、AJUNEWS、fnnewsの報道によると、サムスン電子は現地時間昨日午後、第6世代10nm級DRAMメモリプロセス「1cナノメートル」に対し、生産準備承認（PRA）を付与しました。これにより、サムスンは1cナノメートルメモリの開発を完了し、量産移行の準備が整ったことを示しています。


サムスン電子のHBM4 12Hiメモリは1cnm DRAMダイを採用しており、このメモリプロセスの性能は、DS部門メモリ事業部の今後1～2年の売上高に大きく影響を与えると言える。

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サムスン電子に先立ち、SKハイニックスとマイクロンも第6世代20～10nmプロセスDRAMの開発を完了しており、三大メモリメーカーは10nmの壁にさらに近づいた形です。


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