製品概要BSC028N06LS3Gは、インフィニオンのOptiMOS™3シリーズに属する60V NチャネルパワーMOSFETで、PG-TDSON-8パッケージを採用しています。2.8mΩの超低オン抵抗（RDS(on)）と100Aの連続ドレイン電流容量を備え、高周波スイッチング電源、同期整流、モーター駆動など…
製品概要
BSC028N06LS3Gは、インフィニオンのOptiMOS™3シリーズに属する60V NチャネルパワーMOSFETで、PG-TDSON-8パッケージを採用しています。2.8mΩの超低オン抵抗（RDS(on)）と100Aの連続ドレイン電流容量を備え、高周波スイッチング電源、同期整流、モーター駆動など、高効率アプリケーション向けに設計されています。このデバイスは、スイッチング性能と導通損失の最適化により、システム効率を大幅に向上させ、サーバー電源、通信機器、産業自動化分野など幅広いアプリケーションで採用されています。
主要な特徴 BSC028N06LS3G
超低導通抵抗：2.8mΩ@VGS=10V、伝導損失を大幅に低減。
高品質因数(FOM)：RDS(on)×Qg=28mΩ×nC、高効率なスイッチングを実現。
100%アバランシェテストを実施し、極限条件下での信頼性を確保。
低ゲート電荷(Qg)：典型値28nC、駆動損失を低減。
高速スイッチング速度：立ち上がり時間17ns、立ち下がり時間19ns、高周波アプリケーションの効率を向上。
低逆回復電荷(Qrr)、EMI性能を改善。
PG-TDSON-8パッケージ：熱抵抗を最適化(RthJC=0.75K/W)。
最高結温175°C、過酷な作業環境に対応。
RoHS準拠、ハロゲンフリー設計。
動作温度範囲：-55°C ～ +150°C、自動車および産業用アプリケーションに適しています。
主要パラメーター BSC028N06LS3G
ドレイン・ソース電圧(Vdss)：60V
連続ドレイン電流(Id)：100A
オン抵抗(RDS(on))：2.8mΩ
ゲート電荷(Qg)：28nC
入力容量(Ciss)：13000pF
スイッチング時間(tr/tf)：17ns / 19ns
最大消費電力(Pd)：2.5W (Ta)、139W (Tc)
パッケージタイプ：PG-TDSON-8 (6.1mm×5.35mm)
応用 BSC028N06LS3G
自動車バッテリー管理システム（BMS）
家庭用ロボット
先進の半導体技術により、新たなデジタル化・超接続型医療エコシステムの構築を支援
明佳達電子の供給優位性
大量在庫保有：深圳明佳達電子はBSC028N06LS3Gの十分な在庫を保有し、顧客の大量購入ニーズに対応し、 timely delivery を確保します。
純正製品保証：専門の電子部品販売業者として、明佳達電子が提供するBSC028N06LS3Gはすべて純正製品であり、製品の品質と信頼性を保証します。
柔軟なサービスモデル：明佳達電子は柔軟な調達方法を提供し、小ロット試作から大量生産まで、顧客のニーズに合わせたカスタマイズされたサービスを提供します。
連絡先
インフィニオン N チャネル パワー MOSFET BSC028N06LS3G にご興味がある場合や調達ニーズがある場合は、いつでもご連絡ください：
電話：+86 13410018555（陳氏）
メール：sales@hkmjd.com
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