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供給 ON パワー モジュール：IGBTモジュール、MOSFETモジュール、Si/SiCハイブリッドモジュール、IPM、SiCモジュール

深セン明佳達電子有限公司は、電子部品のグローバルに知られる認定独立系ディストリビューターであり、電子部品のワンストップ調達サービスを提供することを専門としています。

主要な供給製品カテゴリー:

集積回路、5Gチップ、新エネルギーIC、IoT IC、Bluetooth IC、車両ネットワークIC、自動車用グレードIC、通信IC、人工知能IC、メモリIC、センサーIC、マイクロコントローラーIC、トランシーバーIC、イーサネットIC、Wi-Fiチップ、無線通信モジュール、コネクタ、その他の製品。

供給とサービスの優位性:

スケーラブルな在庫: 200万点以上の在庫SKUを保有し、小ロット（1点から）から大規模注文まで対応可能です。

迅速な配送: 深センと香港に2つの倉庫を保有し、48時間以内の対応とグローバル物流サポートを提供します。

価格競争力: 原メーカーからの直接調達と効率的なサプライチェーンモデルによりコスト削減を実現します。

適用分野:

スマートホーム、産業自動化、自動車電子機器、新エネルギー、医療機器、5G通信、航空宇宙産業など。

IGBTモジュール

IGBTモジュールは、太陽電池インバーターのDC-AC段階、エネルギー貯蔵システム、無停電電源装置、モータードライブなどに使用されます。

MOSFETモジュール

MOSFETモジュールは、自動車用モータードライブと車載充電器アプリケーションに使用されます。40V、60V、80V、650Vの定格で、スーパージャンクション技術とセンス抵抗を搭載しています。6パック、フルブリッジ、ハーフブリッジトポロジーに加え、トテムポールPFCトポロジーも利用可能です。

Si/SiC ハイブリッドモジュール

Si/SiC ハイブリッドモジュールは、IGBT、シリコンダイオード、SiCダイオードを内蔵しています。太陽光発電インバーター、エネルギー貯蔵システム、無停電電源装置のDC-ACステージに用いられます。

ハイブリッドSi/SiC（シリコン/シリコンカーバイド）モジュールは、高出力密度を備えた統合型IGBTパワーモジュールです。非ハイブリッドモジュールに比べてスイッチング損失が低く、他の半導体よりも高い温度環境でも動作可能です。

Si/SiCハイブリッドモジュールは、低損失が求められる高出力アプリケーションに広く使用されます。また、同等のSiモジュールよりも高い温度環境でも使用可能です。高周波スイッチングを必要とするシステムでは、Si/SiCハイブリッドモジュールがより高い効率を提供します。

インテリジェントパワーモジュール（IPM）

消費者向け、産業用、自動車用アプリケーション向けに統合ゲートドライバーを備えた高電圧パワーモジュール。50Wから10kWまでの出力範囲をカバーする3相インバーターモジュールを幅広くラインナップ。PFCや入力ブリッジ整流器を含む多様なトポロジーに対応しています。

シリコンカーバイド（SiC）モジュール

SiCモジュールにはSiC MOSFETとSiCダイオードが搭載されています。ブーストモジュールは太陽光インバーターのDC-DCステージで使用されます。これらのモジュールは1200Vの電圧定格を有するSiC MOSFETとSiCダイオードを採用しています。

シリコンカーバイド（SiC）モジュールは、スイッチとしてシリコンカーバイド半導体を使用するパワーモジュールです。SiCパワーモジュールの目的は、スイッチを介した電気エネルギーの変換によりシステム効率を向上させることです。

SiCモジュールの主な機能は、電気エネルギーの変換です。シリコンカーバイドはシリコンに比べて抵抗が低く（効率向上により）、SiCデバイスはより高いスイッチング周波数で動作可能です。SiCベースのシステムはシリコンソリューションよりもコンパクトで軽量のため、より小型の設計が可能です。したがって、効率向上と熱管理の改善を目的とする状況において、SiCデバイスは理想的なソリューションです。