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純粋電気自動車(BEV)とプラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)の販売台数が急成長し、電気自動車市場の成長が加速しています。2030年には電気自動車の生産比率が二桁成長し、2024年の20%から45%程度になると予測されています。パワーシステムとiot分野の世界的な半導体リーダーであるInfineon Technologiesは、高電圧自動車用IGBTチップへのニーズの高まりに対応するため、400 Vと800 V用に設計されたEDT3(第3世代パワートレーン)チップ、800 Vシステム向けのrc-igbtチップが搭載されていますこれらの製品はパワートレーンの性能を向上させることができ、特に自動車用途に適しています。

EDT3とrc-igbtベアチップは、高品質で信頼性の高い性能を提供するために設計されており、カスタムパワーモジュールの開発をサポートします。次世代のEDT3は、EDT2より大幅に進歩し、高負荷時の総損失を20%削減し、低負荷時の効率を維持しています。この進歩は、チップロスを大幅に削減し、最高接合温度を向上させることで、高負荷性能と低負荷効率のバランスを実現しています。そのため、EDT3チップを使用した電気自動車は、より長い航続距離とエネルギー消費量の削減を実現し、より持続可能で経済的な走行体験を提供することができます。

Infineon technologiesオートモーティブ高電圧チップ&ディスクリート部品製品ライン担当バイスプレジデントのRobert Hermann氏は、「IGBT技術の先進的なサプライヤーとして、Infineonは性能と信頼性に優れた製品を提供することを目指しています。EDT3ソリューションは、私たちの革新と低炭素の絶え間ない追求に基づいており、お客様がその多くのアプリケーションにおいて理想的な結果を実現することを支援します。」

EDT3チップセットは、750 Vと1200 Vの2種類の電圧レベルを提供しており、出力電流が高いため、純粋電気自動車、プラグインハイブリッド電気自動車、ハイブリッド電気自動車(REEV)など、さまざまな電気自動車のメインインバータ用途に適しています。チップサイズの縮小と設計の最適化により、より小さなモジュールを作りやすくなり、システム全体のコストを削減できます。また、最大仮想接合温度は185°C、最大集電点-エミッタ定格電圧は750 Vと1200 Vで、高性能アプリケーションに適しています。これにより、自動車メーカーはより効率的で信頼性の高いパワートレーンを設計し、走行距離の延長や排出ガスの削減に貢献します。

臻駆科技創業者兼総経理沈捷博士は「Infineonは臻駆科技の主要IGBTチップサプライヤーでありパートナーとして、システムレベルの優位性を実現する革新的なソリューションを提供し続けています。最新のEDT3チップは、損失と損失分布を最適化し、より高い動作温度をサポートし、さまざまな金属化オプションを提供します。これらの特性は,1アンペアあたりのシリコンウエハ面積を削減するだけでなく,高度なパッケージング技術の適用を加速させます。'です

1200 V rc-igbtは、IGBTとダイオード機能を1チップ上に集積することで性能を向上させ、分離したIGBTとダイオードのチップセットソリューションに比べて高い電流密度を実現しています。この進歩は、より高い電流密度、拡張可能なチップサイズ、組み立て作業の低減により、システムコストのメリットをもたらしました。

Infineonの最新のEDT3 IGBTチップ技術は、HybridPACK™ドライブG2のパワーモジュールに組み込まれており、モジュール製品ポートフォリオ全体に、より強力な性能と機能を提供しています。このモジュールは750 Vと1200 Vのレベルで最大250 kWの出力範囲を提供し、使いやすさを向上させています。その次世代相電流センサ統合オプション、オンチップ温度センサなどの新機能はシステムコストの削減に役立ちます。

オンチップ温度・電流センサーなど、すべてのチップ製品にカスタムチップのレイアウトを提供しています。また、インフィニオンは、必要に応じて焼結、溶接、キー合わせに適した金属化オプションを提供しています。

納入状況です

EDT3とrc-igbtの新製品は既にサンプルを提供しています。

会社ホームページ:www.hkmjd.comです