深圳市明佳達電子有限会社の元の供給 IGBT のトランジスター FGA40N65SMD および FGA40T65SHD の分野の切口 IGBT 650 V、40 Aデバイスモデル：FGA40N65SMD、FGA40T65SHDカテゴリ： IGBTトランジスタメーカー：オンセミ パッケージ: Tube 部品状況：販売中 IGBTタイプ:…
深圳市明佳達電子有限会社の元の供給 IGBT のトランジスター FGA40N65SMD および FGA40T65SHD の分野の切口 IGBT 650 V、40 A
デバイスモデル：FGA40N65SMD、FGA40T65SHD
カテゴリ： IGBTトランジスタ
メーカー：オンセミ
パッケージ: Tube
部品状況：販売中
IGBTタイプ: フィールドカットオフ
電圧-コレクタブレークダウン（最大）： 650 V
電流-コレクタ（Ic）（最大）：80 A
電流-コレクタパルス（Icm）：120 A
Vge、Ic（最大）変化時のVce（on）： 2.5V＠15V、40A
最大電力： 349 W
スイッチングエネルギー： 820µJ（オン）、260µJ（オフ）
入力タイプ： 標準
ゲート電荷： 119 nC
25℃でのTd（オン/オフ）：値12ns/92ns
テスト条件：400V、40A、6Ω、15V
逆回復時間（trr）：42ns
動作温度： -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ：スルーホール
パッケージ/ケース：TO-3P-3、SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ： TO-3PN
概要
オン・セミコンダクターの新しいフィールド・カットオフGen 2 IGBTは、ソーラー・インバータ、UPS、溶接機、誘導加熱、テレコム、ESS、PFCなど、低伝導損失および低スイッチング損失が重要なアプリケーション向けの新しいフィールド・カットオフIGBT技術を特長としています。
特性
最大ジャンクション温度 TJ =175 °C
並列運転が容易な正の温度係数
大電流対応
低飽和電圧: VCE(sat) = 1.9 V (代表値) @ IC = 40 A
高速スイッチング：EOFF = 6.5uJ/A
タイトなパラメータ分布
RoHS対応
用途
発電および配電
無停電電源装置
その他産業用
連絡先電話：86-755-83294757
企業QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間：9:00-18:00
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