補助電源に適した炭化ケイ素MOSFET (IMBF170R1K0M1) IMBF170R1K0M1XTMA1の供給とリサイクル

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補助電源に適した炭化ケイ素MOSFET (IMBF170R1K0M1) IMBF170R1K0M1XTMA1の供給とリサイクル

ソース:このサイト時間:2022-08-23ブラウズ数:

深圳明佳達会社供給およびリサイクルシリコンカーバイド MOSFET (IMBF170R1K0M1) IMBF170R1K0M1XTMA1 該当する補助電源

IMBF170R1K0M1: CoolSiC™ 1700V CoolSiC™ トレンチ SiC MOSFET は、TO-263-7 を採用して沿面距離を増加させ、フライバックトポロジーに最適化され、多くの電源アプリケーションで 600 V から 600 V の DC バス電圧へのアクセスに適しています 1000 V 補助電源。

製品モデル: IMBF170R1K0M1、IMBF170R1K0M1XTMA1

ブランド: インフィニオン

ロット番号：最新21+

製品の利点

1700 V SiC MOSFET により、補助電源用のシンプルで効率的なシングルエンドフライバックトポロジを実現

SMD (表面実装) パッケージにより、PCB への直接統合が容易になり、追加のヒートシンクを必要とせずに自然対流冷却が可能になります。

製品パッケージの沿面距離とクリアランスが増加するため、絶縁作業が軽減されます

システムの複雑さを軽減

高出力密度

パラメータ

FET型Nチャンネル

テクノロジー SiCFET (シリコンカーバイド)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 1700 V

25°C での電流 - 連続ドレイン (Id) 5.2A (Tc)

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 12V、15V

異なる Id、Vgs でのオン抵抗 (最大) 1000mΩ @ 1A、15V

異なる Id での Vgs(th) (最大) 5.7V @ 1.1mA

さまざまな Vgs でのゲート電荷 (Qg) (最大) 5 nC @ 12 V

Vgs (最大) +20V、-10V

Vds での入力容量 (Ciss) (最大) 275 pF @ 1000 V

FET機能 -

消費電力 (最大) 68W (Tc)

動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)

取り付けタイプ表面実装

サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-7-13

パッケージ/ケース TO-263-8、D²Pak (7 リード + タブ)、TO-263CA

応用分野

エネルギー貯蔵システム

電気自動車の急速充電

電源

産業用モーターの駆動と制御

ソーラーシステムソリューション

当社は、世界中有名なブランドの電子部品を売買しておる会社です。小売業者や工場などにある余剰在庫の高価買取、税関保留中の電子部品の交渉及び処理、販売代理などのサービスを提供しております。弊社が長年にわたり積み重ねてきた余剰在庫に対する価格の査定経験は買取業務で活かせて迅速な対応ができ、短い時間内に余剰在庫を消化可能、更に現金払いも可能なので、数多くのクライアントから信頼されて業務を委託されました。業界では、よく評判されています。これからも電子部品に対してよりプロな買取業務、より顧客満足度高いサービズを探し求めて改善していきます。

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１、販売代理（他社より高い利益率を提供する）

２、委託販売（プロな物流業者と連携して柔軟に対応する）

３、余剰在庫品を買取（売りにくい余剰在庫品を高価買取する）

買取業務の流れ

１、処分してほしい分のICやモジュールを簡単に分類し、型番、ブランド、生産日付及び個数をメモして頂きます。

２、メモした在庫リストをファックスやメールで弊社に送って頂きます。

３、価格を査定した後、お支払方法を確認して契約を結びます。

４、正規ルートからの商品しか買取しません。

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