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インフィニオン 自動車用グレード MOSFET (IPG20N04S4L-11) 40V、デュアル Nチャネル、最大 11.6 mΩ

インフィニオン 自動車用グレード MOSFET (IPG20N04S4L-11) 40V、デュアル Nチャネル、最大 11.6 mΩ

ソース:このサイト時間:2025-06-07ブラウズ数:

IPG20N04S4L-11 - インフィニオン自動車用ダブルNチャネルMOSFET製品説明:IPG20N04S4L-11は、インフィニオン(Infineon)が提供する自動車用ダブルNチャネル強化型パワーMOSFETで、OptiMOS™-T2シリーズに属し、PG-TDSON-8-4パッケージ(56mm)を採用しています。 超低導…

IPG20N04S4L-11 - インフィニオン自動車用ダブルNチャネルMOSFET製品説明:

IPG20N04S4L-11は、インフィニオン(Infineon)が提供する自動車用ダブルNチャネル強化型パワーMOSFETで、OptiMOS™-T2シリーズに属し、PG-TDSON-8-4パッケージ(5×6mm)を採用しています。 超低導通抵抗(11.6mΩ)と40Vのドレイン・ソース電圧を特徴とし、自動車電子機器、産業制御、軽負荷スイッチングなど多様なアプリケーションに最適です。

IPG20N04S4L-11.jpg

主要な特性:

デュアルNチャネル設計:2つの独立したMOSFETを統合し、PCBスペースを節約し、システム統合性を向上させます。

超低導通抵抗:11.6mΩ(典型値)@ 10V, 17Aで、電力損失を大幅に低減します。

高電流能力:連続ドレイン電流20Aで、大電力スイッチングアプリケーションに最適です。

自動車グレード認証:

AEC-Q101規格に準拠し、-55°C~+175°Cの広温度範囲に対応します。

MSL1 ピークリフロー溶接温度260°C、自動車製造プロセス要件を満たします。  

低ゲート電荷(26nC @ 10V)、高周波PWM制御効率を最適化します。  

100% アバランシェテスト、瞬時高電圧下でのデバイス信頼性を強化します。  

RoHS規格に準拠、環境対応型鉛フリー設計。  


製品特長:

ダブルスーパーS08は複数のDPAKを置き換え、PCB面積の顕著な削減とシステムレベルコストの低減を実現します。  

ボンディング線直径200マイクロメートル、最大20アンペアの電流に対応  

より大きなソース端子リードフレーム接続、ボンディング線接続に適しています  

パッケージ:PG-TDSON-8-4  

同じチップサイズのDPAKと比較して、同じ熱性能と電気性能を備えています。

露出パッドは優れた熱伝導性能を提供(チップサイズにより異なります)

単一のパッケージ内に2つのNチャネルMOSFETを統合し、2つの独立したリードフレームを搭載


技術仕様:

製品種類: MOSFET

パッケージ/ケース: TDSON-8

トランジスタ極性: Nチャネル

チャネル数: 2チャネル

Vds-ドレイン・ソース間 breakdown 電圧: 40 V

Id-連続ドレイン電流: 20 A  

Rds On-ドレイン-ソース導通抵抗: 11.6 mΩ  

Vgs - ゲート-ソース電圧: -16 V, +16 V  

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧: 1.7 V  

Qg-ゲート電荷: 26 nC

最小動作温度: -55℃

最大動作温度: +175℃

Pd-電力消費量: 41 W


明佳達電子の供給情報

深圳市明佳達電子有限会社は、IPG20N04S4L-11自動車用MOSFETを在庫で供給しています。同社は、顧客に純正の電子部品を提供し、製品の品質と信頼性を確保することを使命としています。 充実した在庫管理と物流システムにより、明佳達電子は顧客のニーズに迅速に対応し、即時的な供給サービスを提供できます。ご要望のある顧客は、明佳達電子までご連絡いただき、詳細な製品情報と見積もりを取得してください。


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