IPG20N04S4L-11 - インフィニオン自動車用ダブルNチャネルMOSFET製品説明:IPG20N04S4L-11は、インフィニオン(Infineon)が提供する自動車用ダブルNチャネル強化型パワーMOSFETで、OptiMOS™-T2シリーズに属し、PG-TDSON-8-4パッケージ(56mm)を採用しています。 超低導…
IPG20N04S4L-11 - インフィニオン自動車用ダブルNチャネルMOSFET製品説明:
IPG20N04S4L-11は、インフィニオン(Infineon)が提供する自動車用ダブルNチャネル強化型パワーMOSFETで、OptiMOS™-T2シリーズに属し、PG-TDSON-8-4パッケージ(5×6mm)を採用しています。 超低導通抵抗(11.6mΩ)と40Vのドレイン・ソース電圧を特徴とし、自動車電子機器、産業制御、軽負荷スイッチングなど多様なアプリケーションに最適です。
主要な特性:
デュアルNチャネル設計:2つの独立したMOSFETを統合し、PCBスペースを節約し、システム統合性を向上させます。
超低導通抵抗:11.6mΩ(典型値)@ 10V, 17Aで、電力損失を大幅に低減します。
高電流能力:連続ドレイン電流20Aで、大電力スイッチングアプリケーションに最適です。
自動車グレード認証:
AEC-Q101規格に準拠し、-55°C~+175°Cの広温度範囲に対応します。
MSL1 ピークリフロー溶接温度260°C、自動車製造プロセス要件を満たします。
低ゲート電荷(26nC @ 10V)、高周波PWM制御効率を最適化します。
100% アバランシェテスト、瞬時高電圧下でのデバイス信頼性を強化します。
RoHS規格に準拠、環境対応型鉛フリー設計。
製品特長:
ダブルスーパーS08は複数のDPAKを置き換え、PCB面積の顕著な削減とシステムレベルコストの低減を実現します。
ボンディング線直径200マイクロメートル、最大20アンペアの電流に対応
より大きなソース端子リードフレーム接続、ボンディング線接続に適しています
パッケージ:PG-TDSON-8-4
同じチップサイズのDPAKと比較して、同じ熱性能と電気性能を備えています。
露出パッドは優れた熱伝導性能を提供(チップサイズにより異なります)
単一のパッケージ内に2つのNチャネルMOSFETを統合し、2つの独立したリードフレームを搭載
技術仕様:
製品種類: MOSFET
パッケージ/ケース: TDSON-8
トランジスタ極性: Nチャネル
チャネル数: 2チャネル
Vds-ドレイン・ソース間 breakdown 電圧: 40 V
Id-連続ドレイン電流: 20 A
Rds On-ドレイン-ソース導通抵抗: 11.6 mΩ
Vgs - ゲート-ソース電圧: -16 V, +16 V
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧: 1.7 V
Qg-ゲート電荷: 26 nC
最小動作温度: -55℃
最大動作温度: +175℃
Pd-電力消費量: 41 W
明佳達電子の供給情報
深圳市明佳達電子有限会社は、IPG20N04S4L-11自動車用MOSFETを在庫で供給しています。同社は、顧客に純正の電子部品を提供し、製品の品質と信頼性を確保することを使命としています。 充実した在庫管理と物流システムにより、明佳達電子は顧客のニーズに迅速に対応し、即時的な供給サービスを提供できます。ご要望のある顧客は、明佳達電子までご連絡いただき、詳細な製品情報と見積もりを取得してください。
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